В оглавление

ОТКРЫТА МЕМОРИАЛЬНАЯ ДОСКА

20 апреля у главного корпуса Института физики полупроводников состоялось торжественное открытие мемориальной доски, посвященной памяти члена-корреспондента Российской академии наук Константина Константиновича Свиташева.

На митинге, посвященном открытию мемориальной доски, кроме многочисленных сотрудников института, присутствовали председатель Сибирского отделения академик Н.Добрецов, первый вице-президент РАН академик Г.Месяц, главный ученый секретарь Сибирского отделения член-корреспондент В.Фомин, представители мэрии г.Новосибирска, участники Общего собрания СО РАН из других регионов Сибири, директора и ведущие сотрудники институтов физико-технического профиля, а также друзья и родственники Константина Константиновича.

Митинг открыл директор института д.ф.-м.н. А.Асеев. Затем с краткими речами, посвященными памяти К.К.Свиташева, выступили: директор Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники д.ф.-м.н. В.Овсюк, академик Н.Добрецов, директор департамента и вице-мэр Новосибирска, доктор социологических наук Г.Пошевнев, вдова Константина Константиновича, Светлана Николаевна Свиташева.

Выступавшие отметили огромный вклад К.К.Свиташева в развитие Института физики полупроводников, который благодаря его усилиям стал одним из ведущих научных учреждений в России, а научные результаты, достигнутые в нем, получили мировое признание.

В выступлениях прозвучала высокая оценка его деятельности в качестве заместителя председателя Сибирского отделения, курирующего разработки СО РАН прикладного и оборонного значения; его научные заслуги в развитии эллипсометрии и организации промышленного выпуска в нашей стране эллипсометров, предназначенных для прецизионного контроля и измерения характеристик поверхности полупроводниковых структур; в создании базовых технологий получения новых материалов и структур для инфракрасной техники и полупроводниковых электронно-оптических преобразователей.

Особо была подчеркнута роль К.К.Свиташева в решении острейшей общероссийской проблемы создания технологии получения сверхчистого монокристаллического кремния -- основы микро- и наноэлектроники двадцать первого века.

Участники митинга возложили к мемориальной доске цветы.

С.Лучинин,
к.ф.-м.н., ученый секретарь
Объединенного института
физики полупроводников.