Академик
РЖАНОВ Анатолий Васильевич
25 июля 2000 года на 81 году жизни скончался выдающийся ученый,
действительный член Российской Академии наук Анатолий Васильевич
Ржанов.
Ушел из жизни крупнейший ученый в области физики полупроводников,
основатель Института физики полупроводников Сибирского отделения
РАН, почетным директором которого он был последние годы своей
жизни.
С именем А.В.Ржанова связано открытие пьезоэффекта в
поляризованных керамических образцах титаната бария, что
определило широчайшее использование пьезоэффекта в различных
технических областях, а также создание первого в СССР
германиевого транзистора, что послужило начальным шагом в
становлении полупроводниковой электроники и микроэлектроники как
научного направления в нашей стране. Это направление исследований
стало базовым для Института физики полупроводников СО РАН,
который был создан А.В.Ржановым вместе с его учениками в 1962
году. Под руководством А.В.Ржанова Институт физики
полупроводников стал ведущей академической организацией в области
физики полупроводников с надежным фундаментом экспериментальных и
теоретических разработок, выдвинувших ИФП СО РАН на передовой
край науки.
Фундаментальные исследования поверхностных свойств германия и
кремния и их границ раздела с диэлектрическими средами, а также
структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе различных
полупроводниковых материалов привели к разработке целого ряда
современных технологий, нашедших применение в полупроводниковой
промышленности, а также матричных элементов памяти, не требующих
энергии для ее хранения. В первую очередь, разработки Института
использовались на полупроводниковых предприятиях Сибирского
региона.
По инициативе А.В.Ржанова в Институте физики полупроводников был
развит ряд новых научных направлений, в числе которых особое
место заняло такое направление полупроводникового
материаловедения, как молекулярно-лучевая эпитаксия
полупроводников. Она послужила базой современных
полупроводниковых приборов и устройств СВЧ электроники
гигагерцового диапазона, матричных фотоприемников излучения от
видимого до дальнего инфракрасного диапазона, а также приборов
наноэлектроники на основе квантово-размерных структур.
Анатолий Васильевич Ржанов отличался высокой чуткостью и
тактичностью в общении со своими учениками и коллегами, всегда
был внимателен к ним, помогая их научному развитию. Много сил и
энергии А.В.Ржанов отдал созданию и руководству кафедрой физики
полупроводников в Новосибирском государственном университете.
А.В.Ржанов был участником Великой Отечественной войны; в 1941
году он добровольцем ушел на фронт, защищал блокадный Ленинград,
в 1943 году он в одной из боевых операций был тяжело ранен. За
мужество и героизм, проявленные на фронте, А.В.Ржанов награжден
боевыми орденами и медалями.
Память об Анатолии Васильевиче Ржанове навсегда сохранится в
сердцах его товарищей, коллег и учеников.
Коллектив Института
физики полупроводников СО РАН.
|