Члену-корреспонденту РАН С.Богданову 80Дорогой Сергей Васильевич!Президиум Сибирского отделения Российской академии наук поздравляет вас с восьмидесятилетием и желает вам здоровья, творческого долголетия и новых свершений. Закончив аспирантуру знаменитого Физического института им. П.Н.Лебедева АН СССР, защитив кандидатскую и подготовив докторскую диссертацию, вы в 1963 году связали свою жизнь с Институтом физики полупроводников СО РАН и с новосибирским Академгородком. Ваш талант исследователя проявился уже на первом этапе научного пути в ФИАНе, где вы детально исследовали пьезоэлектрические свойства керамического титаната бария. В дальнейшем вами была создана стройная и законченная теория физических явлений в пьезоэлектриках, в этом весьма сложном классе новых материалов, явившаяся основой развития оптоэлектроники и акустоэлектроники, одним из основателей которых вы признаны мировой научной общественностью. Работы, выполненные вами и под вашим руководством вашими учениками, привели к созданию многочисленных семейств акусто- и оптоэлектронных устройств и приборов, большинство из которых до сих пор активно используется как в гражданской, так и в оборонной технике. Большое внимание вы уделяли подготовке молодых научных кадров, долгие годы работая на кафедре полупроводников в НГУ. Среди ваших учеников три доктора и около двух десятков кандидатов наук. Ваши заслуги перед Родиной отмечены двумя орденами и медалью. Ваши работы удостаивались государственных премий в 1974 и в 1993 годах. Ученые Сибирского отделения РАН от всей души поздравляют вас, дорогой Сергей Васильевич, с юбилеем, искренне желают вам здоровья, творческого долголетия, продолжения активной трудовой деятельности на благо нашей Родины!
Председатель Сибирского отделения
Главный ученый секретарь Отделения |