РОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

В Санкт-Петербурге в конце октября состоялась VI Российская конференция по физике полупроводников. Конференция проходила в новом научно-образовательном комплексе ФТИ им. А. Ф. Иоффе, прекрасно оборудованном «семействе» зданий, сочетающих широкий спектр возможностей по обеспечению научных форумов и учебных мероприятий. Программа конференции включала следующие разделы: объемные полупроводники; гетероструктуры и сверхрешетки; двумерные системы; одномерные и нульмерные системы; дефекты и примеси; широкозонные материалы; технология, приборы, методы исследования.

А. Двуреченский, член оргкомитета конференции, профессор

Два пленарных заседания отводились для представления докладов по новым многообещающим направлениям развития физики и технологии полупроводников.

Таких докладов было два. Первый был представлен на открытии конференции и посвящался полупроводниковой спинтронике. Полагают, что новые возможности в управлении электронным спином обеспечат создание спиновых устройств, способных выполнять ряд вычислений более эффективно и с меньшей затратой энергии, чем их зарядовые аналоги. Поскольку управлять спином можно пытаться во многих системах, то область науки, именуемой спинтроникой, является достаточно обширной. Даже часть известных в настоящее время спиновых явлений трудно было охватить в одном докладе. Поэтому в пленарном докладе по спинтронике В. Коренев (ФТИ им. Иоффе) фактически ограничился обсуждением физических процессов, протекающих в гетероструктурах ферромагнетик/полупроводник.

Спиновым явлениям было посвящено заметное количество докладов ряда российских групп исследователей. Одной из важнейших задач при исследовании спиновых эффектов является создание и детектирование спин-поляризованных носителей заряда. Наряду с широко используемыми (и ставшими классическими) методами оптической ориентации и инжекции из магнитных материалов, весьма перспективным представляется создание немагнитных полупроводниковых устройств инжекции и детектирования спин-поляризованных носителей. В связи с этим часто цитируется механизм Дьяконова-Переля: спин-зависимого рассеяния на примесях, а также другой механизм, связанный с линейным по волновому вектору спиновым расщеплением электронных состояний в структурах с квантовыми ямами.

Пониженная, по сравнению с объемными материалами, симметрия наноструктур допускает существование новых эффектов, которые невозможны в объемных материалах. Уже продемонстрированы эффекты спин-зависимого туннелирования через полупроводниковые барьеры различной формы, рассматриваются процессы туннелирования через барьеры, выращенные на основе материалов без центра инверсии в кристаллической решетке, а также на основе центросимметричных кристаллов, анализируется спин-орбитальное взаимодействие в искривленных низкоразмерных структурах. Эти работы успешно развиваются в ФТИ им. Иоффе (И. Ивченко) и ИФП СО РАН (Л. Магарилл, М. Энтин).

Одной из фундаментальных проблем спинтроники является детектирование спин-поляризованных носителей в полупроводниковых гетероструктурах электрическими методами (спин-гальванический эффект). Здесь появились первые результаты (С. Ганичев, ФТИ им. Иоффе), но многое еще предстоит сделать.

Второй пленарный доклад представлялся перед закрытием конференции и был посвящен электронным и оптическим свойствам фуллеренов (В. Кведер, ИФТТ РАН). Хотя это направление нельзя назвать широко представленным в других докладах участников конференции, обсуждение свойств низкоразмерных систем на основе углерода представляется достаточно важным с позиций их возможных применений в микро- и наноэлектронике. По имеющимся сообщениям известно, что транзисторы на основе углеродных нанотрубок обладают меньшим сопротивлением и, следовательно, способны обеспечить большее быстродействие. Впечатляющие успехи продемонстрированы также в части улучшении разрешения в литографических процессах при использовании углеродных нанотрубок и фуллеренов.

Из других направлений конференции достаточно яркие результаты были представлены по гетероструктурам с квантовыми точками, как в части методов получения и теории формирования таких систем, так и в части демонстрации электрических и оптических процессов в таких структурах. Здесь следует отметить доклады В. Щукина (ФТИ им. Иоффе) по устойчивости и эволюции сверхплотных массивов квантовых точек, С. Тийса (ИФП СО РАН) и Д. Лобанова (ИФМ РАН) по самоорганизации наноструктур Ge/Si с квантовыми точками, А. Якимова и В. Ткаченко (оба из ИФП СО РАН) — по переносу носителей заряда в системах с квантовыми точками, а также В. Устинова (ФТИ им. Иоффе) — по лазерам на квантовых точках.

Большой интерес вызвали работы по гигантским осцилляциям магнетосопротивления высокоподвижных двумерных систем и состояниям с нулевым сопротивлением двумерного электронного газа, вызванные микроволновым излучением (М. Зудов, США, В. Волков, ИРЭ РАН, С. Дорожкин, ИФТТ РАН, З. Квон, ИФП СО РАН).

Делегация из Новосибирска (в основном из ИФП СО РАН) была третьей по численности после С-Петербурга и московского региона (Москва, Черноголовка). На некоторых секциях доклады от ИФП СО РАН были доминирующими (пленки, слои).

Организаторы конференции провели конкурс среди докладов, представляемых молодыми научными сотрудниками. Для трех призовых мест предусматривалось шесть премий. Третье место было присуждено научному сотруднику ИФП СО РАН Ж. Смагиной за представленную работу «Исследование ионно-стимулированного роста трехмерных островков Ge на Si(100) методом дифракции быстрых электронов».

Следующая, VII конференция состоится в Москве, и символический ключ Российской конференции по физике полупроводников был торжественно вручен Ю. Копаеву и Н. Сибельдину. Это означает, что организатором конференции будет ФИ РАН, хотя были слышны слабые голоса о возможной помощи в организации со стороны ИРЭ РАН и МГУ.

стр. 11