В оглавление

НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ: СОЗДАНИЕ, СТРУКТУРА, СВОЙСТВА

15 июня в Томском политехническом университете открылась IV Всероссийская школа-семинар «Новые материалы. Создание, структура, свойства-2004».

Пресс-служба ТПУ

Более ста участников из крупных научных учреждений России и ближнего и дальнего зарубежья съехались в Томск, чтобы рассказать о последних достижениях в создании новых материалов. Своих представителей делегировали Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН (Новосибирск); Институт механики и надежности машин НАНБ (Минск, Беларусь), Технический университет (г.Висмар), Омский государственный технический университет, Алтайский государственный университет и другие. Участие в школе-семинаре приняли такие томские предприятия, как Научно-исследовательский институт строительных материалов, Сибирский химический комбинат, а также вузы — ТПУ, ТГУ, ТГАСУ.

По словам организаторов (Томский политехнический университет, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН), школа-семинар проводится с целью подтверждения значимости интеграции высшего образования и фундаментальной науки, а также для активизации научной деятельности студентов и повышения научной квалификации магистрантов, аспирантов и молодых специалистов. В этом году работа школы разбита на три направления: проблемы прочности современных конструкционных материалов, поверхностное упрочнение и защитные покрытия, перспективные материалы и технологии.

В рамках школы-семинара представлены обзорные доклады ведущих ученых в области современного материаловедения: «Конструкционные материалы с наноструктурными поверхностными слоями: фундаментальные проблемы и области промышленного освоения» — академик В. Панин, ИФПМ СО РАН; «Керамические материалы на основе природного и техногенного сырья Сибири» — профессор В. Верещагин, ТПУ; «Состав, структура, свойства карбидосталей и их применение» — С. Гнюсов, профессор, в.н.с. (ИФПМ СО РАН). В общей сложности участниками школы-семинара представлено более 70 докладов.

стр. 4