КЛАССИЧЕСКИЙ ХАРАКТЕР

100 лет со дня рождения профессора Л.Н. Добрецова.

А. Асеев

12 ноября 2004 г. в большом актовом зале Физико-технического института им Иоффе РАН состоялось торжественное совместное заседание Ученых советов ФТИ им. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, посвященное столетию со дня рождения профессора Леонтия Николаевича Добрецова — выдающегося ученого, одного из основоположников эмиссионной электроники, автора классических монографий и учебников в этой области.

Открыл заседание научный руководитель ФТИ им. Иоффе РАН, Нобелевский лауреат академик Ж. Алферов. В своем выступлении он высоко оценил заслуги профессора Л. Добрецова в развитии физической электроники и охарактеризовал его как принципиального ученого, взыскательного учителя и, в то же время, исключительно доброго и самоотверженного человека, воспитавшего большое количество физиков — специалистов в этой и смежных областях физики и техники. Всем памятны глубокие выступления и критические замечания Леонтия Николаевича на семинарах, заседаниях ученых советов, защитах диссертаций, в том числе на защите кандидатской диссертации Ж. Алферова, философских семинарах.

С большим докладом, посвященном научной деятельности и жизни Л. Добрецова выступила главный научный сотрудник ФТИ, д.ф.-м.н. М. Гомоюнова — ближайшая сотрудница и ученица Леонтия Николаевича, соавтор совместной с Л. Добрецовым монографии «Эмиссионная электроника» (изд. Наука, Москва, 1966 г.). Она отметила, что Л. Добрецов успешно сочетал проведение тонких физических экспериментов в своей лаборатории в Физтехе с напряженной работой на кафедре С.-ПбГПУ, которую он унаследовал от своего учителя — академика П. Лукирского. Важной частью его деятельности являлась совместная работа с предприятием «Светлана» — крупнейшим в СССР производителем радиоламп и другой техники, использующей генерацию электронных пучков в вакууме. Страстью  Л. Добрецова являлись путешествия по бескрайним просторам нашей страны от Средней Азии до Камчатки, а также по зарубежью (Албания, Чехословакия и др.).

О большом вкладе Л. Добрецова в подготовку научных и инженерных кадров страны рассказал профессор С.-ПбГПУ В. Кораблев. Он отметил, в частности, большую роль школы Л. Добрецова в формировании в послевоенный период мощной и передовой по тем временам отечественной радиотехнической и электронной отраслей промышленности с высококвалифицированным кадровым составом. Многие из учеников Л. Добрецова успешно работают на кафедрах С.-ПбГПУ, в других вузах и научных учреждениях России.

С рассказом о Л. Добрецове, как одном из ярких представителей научной династии Келлей-Добрецовых, выступил его сын Николай Добрецов, ныне академик, вице-президент РАН и председатель Сибирского отделения РАН. Л. Добрецов был заботливым отцом своих четырех детей и образцовым семьянином для многочисленных внуков и правнуков, часть которых присутствовала на заседании ученого совета. Как вспоминал Н. Добрецов, его глубоко поразили слова отца о том, что не каждому суждено достичь высших вершин в избранной профессии, но каждый способен стать лучшим воспитателем для своих детей.

Выступивший на заседании член-корр. РАН  А. Асеев, директор Института физики полупроводников СО РАН, отметил классический характер научных подходов Л. Добрецова и их актуальность при разработке современной элементной базы для новейших систем инфракрасной техники и техники ночного видения, использующих внешний и внутренний фотоэффекты в полупроводниках. Развитые Леонтием Николаевичем Добрецовым представления, несомненно, сыграют важную роль при прогнозируемом развитии эмиссионной наноэлектроники, использующей, в частности, эффект аномально высокой эмиссионной способности углеродных нанотрубок и последние достижения нанотехнологий по созданию твердотельных аналогов эмиссионных приборов.

стр. 2