ПОЛУПРОВОДНИКИ-2005
С 18 по 23 сентября в Звенигороде Московской области прошла
седьмая Российская конференция по физике полупроводников.
В. Володин, к.ф-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН
Такие встречи российских специалистов в области физики
полупроводников проходят раз в два года, начиная с 1993 года.
В этом году конференция собрала более 300 участников, которые
представили 34 приглашенных, 58 устных и 213 стендовых докладов.
Присутствовали практически все научные центры РФ — от
Санкт-Петербурга до Владивостока. Делегация от Института физики
полупроводников СО РАН — 33 участника, представивших 5
приглашенных, 7 устных и 31 стендовый доклад. Треть
делегации — это аспиранты и молодые ученые в возрасте до 33 лет.
Тон конференции задало пленарное заседание с докладом
членов-корреспондентов РАН А. Асеева и И. Неизвестного «Физика и
технология современной кремниевой наноэлектроники». Игорь
Георгиевич красочно описал как достижения мировой микро- и
наноэлектроники, так и достижения нашего института. Тенденция
здесь такова, что «эволюционный» ресурс выполнения закона Мура
(жесткая парадигма отраслевого планирования, согласно которой
каждые полтора-два года происходит удвоение плотности элементов
на чипе) близок к своему исчерпанию. В связи с этим идет поиск
путей улучшения (или даже альтернативы) системы Si-SiO2, данной
человечеству самой природой. При дальнейшем уменьшении масштабов
элементов электроники для увеличения быстродействия приборов
понадобятся альтернативные диэлектрики с большой диэлектрической
проницаемостью. Интересно, что опять возвращается интерес к
германиевым МДП-транзисторам. Ведь наш институт когда-то был
одним из лидеров этого направления! Отмечу также и то, что,
несмотря на довольно большое время, отпущенное для доклада
Программным комитетом (40 минут), и старания докладчика, он
просто физически не успел сообщить обо всех достижениях нашего
института в наноэлектронике за последнее время. Участники
конференции могли ознакомиться с ними в дальнейших устных и
стендовых докладах.
Далее начались заседания по секциям. Здесь, по-моему, наблюдался
некий крен в сторону спиновых явлений (целых три заседания по
ходу конференции). Запомнились доклады молодых теоретиков из ФТИ
РАН (Санкт-Петербург) Л. Голуба и С.Тарасенко. Оба докладчика
сделали довольно обширное введение в проблему, так что суть стала
понятна не только узким специалистам и теоретикам. Если пояснить
«на пальцах», то ориентация спинов электрическим током происходит
следующим образом. Электрический ток — это движение электрона в
электрическом поле, а если перейти в собственную систему
электрона (в которой он покоится), в ней, согласно
преобразованиям Лоренца, присутствует магнитное поле. В этом
магнитном поле и ориентируется магнитный момент электрона — спин.
Как показывают оценки (и уже эксперименты), живет
спин-поляризованное состояние недолго даже при криогенных
температурах. А пока будем надеяться, что из фундаментальных
проблем спиновые явления перерастут в практическую область — спинтронику.
Как всегда, довольно много было докладов, посвященных двумерному
электронному газу и фазовым переходам металл-диэлектрик. На мой
взгляд, революционных событий в этой сфере за прошедшие с прошлой
конференции два года не произошло. Из области оптоэлектроники
запомнился обзорный доклад П. Копьева (ФТИ РАН, Санкт-Петербург)
и доклад ученых из Санкт-Петербурга, работающих в Германии,
В. Щукина и
Н. Леденцова. Им удалось объединить полосковый
полупроводниковый лазер и лазер с вертикальным резонатором — получился
лазер с «наклонным резонатором», унаследовавший лучшие
качества своих прародителей. На этом фоне хорошо смотрелся доклад
В. Гайслера, который небольшой группой развивает данную тематику
в нашем институте. Прозвучали два доклада, посвященные
органическим полупроводникам. В некоторых оптоэлектронных
приложениях они «наступают на пятки» традиционным неорганическим
полупроводникам. Если научиться бороться с относительно быстрой
деградацией органических светодиодов, то вполне возможно, что
плоские экраны на их основе вытеснят с рынка ЖК-мониторы.
В секциях, посвященных приборному применению полупроводников,
запомнились доклады И. Грехова (ФТИ РАН, Санкт-Петербург) и
А. Терехова (ИФП СО РАН). Первый доклад был посвящен силовой
полупроводниковой электронике. В этой области СССР был когда-то
на мировом уровне, а в отдельных разработках являлся лидером.
Радует, что и сейчас в этой отрасли продукция наших
полупроводниковых заводов конкурентоспособна хотя бы на
внутреннем рынке (примерно половина изделий, потребляемых в
стране — российского производства). Огорчает, что и здесь мы
сдаем позиции. Лидерами в технологии получения карбида
кремния — нового материала для силовой электроники и электроники,
работающей в экстремальных условиях — сейчас являются
американцы. А. Терехов, помимо научных аспектов создания
полупроводниковых фотокатодов, изложил концепцию организации
мелкосерийного производства наукоемких изделий в академическом
институте.
В короткой заметке невозможно рассказать обо всех темах
конференции: системах пониженной размерности, примесях и
дефектах, широкозонных полупроводниках, фотонных кристаллах…
Как сказал в заключительном слове академик В. Тимофеев, по широте
научных тематик наша конференция не уступает всемирной
конференции по физике полупроводников.
Для молодых докладчиков были утверждены шесть равнозначных
дипломов (без градации на первую, вторую и третью степени) с
денежной премией от спонсоров — фирмы «Интел» и фонда
некоммерческих программ «Династия». Очень приятно, что два
диплома были присуждены молодым докладчикам от нашего
института — аспирантке Ю. Юкечевой (руководитель В. Принц) и молодому
научному сотруднику А. Звереву. Если учесть, что новосибирская
делегация составляла примерно 1/10 часть всех участников, такая
высокая оценка нашей молодежи отражает ее высокий качественный
состав. В заключение скажу, что на карте полупроводниковых
центров России (Санкт-Петербург, Новосибирск, Москва, и Нижний
Новгород) добавилась еще одна точка — Екатеринбург, где и
состоится через два года уже восьмая по счету Российская
конференция по физике полупроводников.
стр. 3
|
