Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 16 (2551) 20 апреля 2006 г.

ПРИЕМ В АСПИРАНТУРУ

Институт физики полупроводников СО РАН объявляет прием в 2006 году в аспирантуру (очное и заочное отделения) по специальностям:

— физика полупроводников;

— физика конденсированного состояния;

— физическая электроника;

— оптика;

— физическая химия;

— твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах;

— телекоммуникационные системы и компьютерные сети.

В докторантуру (очное отделение) по специальностям:

— физика полупроводников и физика конденсированного состояния.

Институт имеет высококвалифицированных специалистов для руководства аспирантами по вышеперечисленным специальностям, обладает высокотехнологической базой для проведения исследований, поддерживает молодых специалистов выделением конкурсных и именных стипендий, обеспечивает материальную поддержку для проживания иногородних аспирантов.

Сроки приема: с 1 июня по 7 июля и с 1 сентября по 15 ноября.

За справками обращаться к заведующей аспирантурой Шерстяковой В. Н.; тел.: 330-66-31, e-mail: sher@thermo.isp.nsc.ru

стр. 2

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?13+373+1