Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 37 (2572) 21 сентября 2006 г.

АКАДЕМИКУ  А. АСЕЕВУ — 60 ЛЕТ

Дорогой Александр Леонидович!

Иллюстрация

Президиум Сибирского отделения Российской академии наук сердечно поздравляет вас с шестидесятилетием!

Коренной сибиряк, вы две трети своей жизни связали с Сибирским отделением РАН. Студент НГУ, стажер-исследователь, научный сотрудник и, наконец, директор Института физики полупроводников, кандидат, затем доктор, член-корреспондент и действительный член Российской академии наук — ваш славный путь в науке. Ваши работы по изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности сыграли важную роль в развитии микро-, опто- и наноэлектроники. Вами и вашими сотрудниками выполнены пионерские работы по исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния. Вы внесли заметный вклад в создание и изучение структур с двумерным электронным газом, в исследования резонансных явлений при квантовом транспорте носителей заряда, включая эффекты электронной интерференции и одноэлектронные эффекты. При вашем активном участии разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Под вашим руководством разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники. Вами опубликовано около 200 научных статей и две монографии, демонстрирующие высокий уровень научных исследований в микро- и наноэлектронике.

Приняв Институт физики полупроводников в сложное для науки время, вы сохранили его научный потенциал на высоком уровне. Вы сами понимали и смогли убедить других, что только развитие технологической базы Института физики полупроводников послужит гарантией получения научных результатов мирового уровня, и блестяще доказали свою правоту на деле.

Ваш авторитет ученого подтверждает ваше избрание в многочисленные научные комитеты и комиссии, редакционные коллегии российских и международных журналов.

Среди ваших учеников много докторов и кандидатов наук, подрастают и новые в стенах Новосибирского и Томского университетов, профессором которых вы являетесь. Мы знаем вас как многогранно одаренного человека, доброго и заботливого семьянина.

Мы желаем вам, дорогой Александр Леонидович, многих лет активной творческой жизни, новых достижений, здоровья, счастья и благополучия всей вашей семье.

Председатель Отделения
академик Н. Добрецов
Главный ученый секретарь Отделения
академик В. Фомин

стр. 2

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?3+388+1