КОНФЕРЕНЦИЯ «GaAs-2006»
С 3 по 5 октября в Томске состоялась 9-я конференция по арсениду галлия и полупроводниковым соединениям А3В5, организованная Томским государственным университетом совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН.
Открыли конференцию ректор ТГУ проф. Г. Майер и директор ИФП академик А. Асеев (председатель конференции). Г. Майер отметил, что развитие научно-технологических основ полупроводниковой электроники на основе арсенида галлия всегда занимало важное место в научно-образовательной деятельности ТГУ, а в последнее время при реализациии проекта инновационного университета это направление работы приобретает особую актуальность. В своем вступительном слове А. Асеев указал на ключевую роль арсенида галлия и полупроводниковых соединений А3В5 в современной оптоэлектронике и сверхвысокочастотной электронике. Так, например, в осветительной технике ожидается массовый переход на высокоэффективные полупроводниковые источники света с коэффициентом полезного действия в десятки процентов. С применением арсенида галлия и полупроводниковых соединений
А3В5 связывается резкое уменьшение габаритов устройств радиолокации, увеличение эффективности преобразования элементов солнечной энергетики, появление нового поколения элементов наноэлектроники на основе квантовых эффектов.
Проф. И. Ивонин подробно изложил историю формирования Томской школы физики полупроводников, у истоков которой находились профессора В. Преснов, А. Вяткин и Л.Лаврентьева. В настоящее время прочную базу для развития полупроводниковой электроники на основе арсенида галлия и полупроводниковых соединений А3В5 представляют ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (г. Томск) и ОАО «Октава» (г. Новосибирск), развитие которых в современных условиях основано на разработках ученых и специалистов ТГУ, Сибирского физико-технического института при ТГУ и Института физики полупроводников СО РАН. Доклады представителей этих организаций составили значительную, и пожалуй, наиболее интересную часть программы работы конференции, прошедшей с большим успехом.
Наш корр.
стр. 11
|
