ГРАНТ ИСПОЛЬЗОВАН
ЭФФЕКТИВНО
Аспиранты Андрей Журавлев и Константин Торопецкий экспериментально изучают свойства поверхности арсенида галлия с адсорбатами в сверхвысоком вакууме на электронном спектрометре в лаборатории неравновесных процессов полупроводниковых структур Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Андрей Журавлев работает в лаборатории со второго курса физического факультета НГУ.
После получения степени магистра и окончания университета поступил в аспирантуру института. В настоящее время Андрей готовит к защите кандидатскую диссертацию. В конце прошлого года Андрей Журавлев выиграл грант мэрии Новосибирска для молодых ученых на выполнение проекта по исследованию модификации атомной структуры и электронных свойств поверхности арсенида галлия с помощью изовалентного замещения атомов мышьяка атомами сурьмы. В работе впервые был обнаружен сверхструктурный переход на поверхности арсенида галлия, индуцированный сурьмой.
 |
| Аспиранты Андрей Журавлев (на снимке слева) и Константин Торопецкий |
Проект является частью исследований, проводимых в ИФП СО РАН под руководством заведующего лабораторией неравновесных процессов в полупроводниковых структурах профессора А. С. Терехова и направленных на разработку научных основ технологии полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством и фотоэлектронных приборов на их основе. Эти исследования проводятся в тесном сотрудничестве с новосибирским предприятием ОАО «Катод», которое является ведущим российским производителем фотоэлектронных приборов с полупроводниковыми фотокатодами.
стр. 5
| 
