ПРОФЕССОРУ В. Н. ОВСЮКУ — 75 ЛЕТ!
6 ноября исполнилось 75 лет старейшему сотруднику Института физики полупроводников
им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), известному учёному в области физики полупроводников и диэлектриков, доктору физико-математических наук, профессору, лауреату Государственной премии РФ, Заслуженному деятелю науки и техники РФ
Виктору Николаевичу Овсюку.
Его исследования связаны с физикой электронных явлений на поверхности полупроводников, на гетерофазных границах раздела и в квантово-размерных полупроводниковых структурах, в диэлектрических слоях, в приборах микро- и фотоэлектроники. В. Н. Овсюк — автор и соавтор более 200 научных работ, включая четыре монографии, энциклопедического словаря терминов «Фотоника» и 15 патентов.
После окончание физического факультета Ленинградского государственного университета Виктор Николаевич с 1959 по 1961 годы работал под руководством Г. Ф. Староса и академика А. А. Лебедева, а с 1961 года по приглашению академика А. В. Ржанова приехал в Новосибирск, в недавно созданный Институт физики полупроводников, где работает по настоящее время. За время работы в ИФП СО РАН прошёл славный трудовой путь: заведующий лабораторией кинетических явлений в полупроводниках, заведующий Отделом физики и техники полупроводниковых приборов, заместитель директора по научной работе. В 1996–2001 гг.
В. Н. Овсюк одновременно работал директором Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники.
За время работы в институте В. Н. Овсюк провёл систематические экспериментальные и теоретические исследования влияния границ раздела на электронные и фотоэлектрические явления, играющие ключевую роль в функционировании приборов микро- и фотоэлектроники на основе кремния, германия и полупроводниковых соединений типов А3В5 и А2В6. Виктор Николаевич всегда уделял и уделяет большое внимание области прикладных исследований. Под его руководством созданы технологии матричных фотоприёмников с предельно высокими характеристиками — большеформатные фотодиодные матрицы на базе эпитаксиальных слоев CdHgTe, фоторезистивные матрицы на основе многослойных квантовых структур GaAs/AlGaAs, а также неохлаждаемые матричные микроболометрические приемники для дальнего (8–14 мкм) и среднего (3–5 мкм) инфракрасных диапазонов оптического спектра.
Понимая важность задачи подготовки научных кадров и воспитания достойной научной смены, Виктор Николаевич в течение многих лет читал лекции и вёл семинары по физике полупроводников и физике поверхности и тонких слоёв полупроводников для студентов физических факультетов НГУ и НГТУ. Под его руководством выросла большая плеяда учеников, с которыми Виктор Николаевич продолжает успешно разрабатывать всё более совершенные многоэлементные матричные приёмники изображений на базе квантовых ям и микроболометров.
Дорогой Виктор Николаевич! От имени всех сотрудников нашего института сердечно поздравляем Вас с замечательным юбилеем, желаем Вам и Вашим близким крепкого сибирского здоровья, новых успехов в Вашей работе.
Дирекция ИФП СО РАН,
коллеги, друзья
стр. 5
| 
