«ОПТОГАН» УКРЕПЛЯЕТ СВЯЗИ
С АКАДЕМИЧЕСКОЙ НАУКОЙ
В Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН 30 января состоялся семинар, на котором был заслушан доклад Владислава Евгеньевича Бугрова «Физико-технологические проблемы нитридных полупроводниковых гетероструктур и светодиодных устройств на их основе» по материалам готовящейся диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Е. Садыкова, «НВС»
Работа была выполнена в группе компаний «Оптоган» и на кафедре светодиодных технологий Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики.
В 1996 году Владислав Бугров окончил кафедру оптоэлектроники СПбГЭТУ (ЛЭТИ). В 1999 году защитил кандидатскую диссертацию в Петербургском ФТИ им. А. Ф. Иоффе. За время обучения он более 10 раз становился лауреатом российских и международных премий.
Владислав является автором более 30 статей, среди которых несколько основополагающих работ по светодиодным технологиям на основе нитрида галлия. Он имеет более 50 международных патентов и патентных заявок в области технологии светодиодов на основе нитридов металлов III группы. В ноябре 2011 года Владислав назначен заведующим базовой магистерской кафедрой «Светодиодные технологии» в НИУ ИТМО, на факультете оптико-информационных систем и технологий. Кафедра была основана в рамках соглашения о стратегическом партнерстве компании «Оптоган» и НИУ ИТМО для реализации совместной научно-исследовательской и образовательной деятельности. Он является исполнительным вице-президентом компании «Оптоган», генеральным директором ЗАО «Оптоган Таллинское» (Оптоган Завод 2), автором множества идей и патентов компании, входит в состав дирекции.
«Я попросил организовать этот семинар, чтобы показать коллегам свою работу. Это стандартная практика, поскольку мой рецензент является сотрудником данного института. Можно назвать это репетицией предзащиты, но такой цели не было. На самом деле, в России не так много мест, где тебя могут оценить и дать квалифицированную оценку, и новосибирский Академгородок — одно из них. Я заканчивал кафедру электроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета, основанную в 1973 году академиком Ж. И. Алфёровым.
В стране существует две ведущих организации — основные специалисты по моей тематике — Физтех и ИФП СО РАН, поэтому для меня было обязательным приехать сюда и рассказать о своей работе, чтобы послушать мнение коллег, узнать, что они мне посоветуют. Что касается взаимодействия между институтом и компанией — очень надеюсь, что оно состоится. Мы стараемся сохранять связи с научной средой», — так высказался Владислав на пресс-конференции, посвященной этому семинару.
По словам В. Е. Бугрова, только побывав в ИФП СО РАН он понял, какие именно работы ведутся в институте. Интересных оказалось довольно много, например, работы лаборатории А. И. Торопова — способ обработки гетероэпитаксиальных плёнок. Создание фотоприёмных устройств на системе кадмий-ртуть-теллур в лаборатории С. А. Дворецкого — уникальная технология, у которой практически нет аналогов в России и за рубежом. Очень интересные результаты получены коллегами, работающими по нитриду галлия — сверхрешётки для транзисторов СВЧ-техники, по мнению Владислава Бугрова, это стопроцентный потенциал коммерциализации разработки. Также его поразил космический проект О. П. Пчелякова.
Создание фотоприёмников и светодиодов, считает В. Е. Бугров, — это именно та область высокотехнологичной индустрии, в которой Россия пока ещё держит первенство.
«Рынок светодиодного освещения — рынок массовый, и здесь основной фактор — цена. Он приносит миллиарды и миллиарды долларов. Речь идет об экономике мегамасштаба, о дополнительных потребительских свойствах, и это уже вопрос, скорее, к индустрии. Другое дело, что светодиодные технологии, на основе которых делаются лазеры, фотоприёмники, СВЧ-транзисторы, имеют огромные перспективы для развития. На базе светодиодов можно создавать целый комплекс приборов, светодиоды — это только первый шаг», — отметил В. Е. Бугров.
Семинар прокомментировал и чл.-корр. РАН А. В. Двуреченский, заместитель директора ИФП СО РАН по научной работе:
— В российских научных организациях существует свое разделение по тематикам. Физтех (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН) больше специализируется на светоизлучающих приборах — лазерах, светодиодах, наш институт — на пассивных приборах, фотоприёмниках. Но материаловедческие проблемы — одни и те же. В работе В. Е. Бугрова продемонстрированы успехи в решении проблемы снижения дефектов при создании материала, которые, собственно, ухудшают характеристики приборов. Это центральная проблема, очень важная, у нас существуют свои подходы к её решению.
Владиславом Евгеньевичем были предложены и развиты иные подходы по снижению плотности дефекта, и это дало свой впечатляющий результат. Когда дело заканчивается не просто опубликованием работы, журнальными статьями, но даже созданием компании и выпуском серийной продукции, а не просто опытным образцом — это грандиозно.
По какому пути будет идти технология? «Узкие места» постепенно будут устранятся, в процесс эксплуатации технология будет совершенствоваться. Так же было и в полупроводниковой электронике, когда первоначальный размер элементов составлял несколько микрон, а сейчас он снизился до 35 нанометров. Думаю, это произойдёт в течение жизни одного поколения. Будем решать материаловедческие проблемы. Сейчас много говорят об излучателях на основе органических материалов. Они, безусловно, намного дешевле. Но главная проблема органики в том, что она не держит высокую температуру. И эту проблему предстоит решить.
стр. 5
|
