Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

О газете
Редакция
и контакты

Подписка на «НВС»
Прайс-лист
на объявления и рекламу

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2017

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости
 
в оглавлениеN 9 (2894) 28 февраля 2013 г.

С ПРИЦЕЛОМ
НА ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ

В институтах Сибирского отделения РАН успешно работают и продолжают создаваться уникальные промышленно-ориентированные установки, которые дают огромные возможности для получения удивительных материалов.

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — одна из основных технологий современной физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Работы по технологии МЛЭ были начаты в Институте физики полупроводников СО РАН по инициативе академика А. В. Ржанова и развиты при решающем вкладе члена-корреспондента РАН К. К. Свиташёва и профессора С. И. Стенина. В последние годы основным направлением развития МЛЭ явились работы по созданию эпитаксиальных структур на основе соединений кадмий-ртуть-теллур (КРТ) — основного материала для создания фоточувствительных элементов современных систем инфракрасной техники.

Иллюстрация
Обсуждение технологических процессов проводит руководитель установки «Обь-М» д.ф.-м.н. Максим Витальевич Якушев с сотрудниками группы инженерами-технологами Кириллом Геннадьевичем Коденевым и Денисом Викторовичем Марииным.

Многокамерная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» разработана и изготовлена в ИФП СО РАН под руководством д.ф.-м.н. Ю. Г. Сидорова. Она оснащена оригинальными молекулярными источниками и аналитическим эллипсометрическим оборудованием для контроля процессов роста в реальном времени и позволяет создавать структуры теллурида кадмия и ртути на подложках из кремния и арсенида галлия с заданным дизайном состава и толщиной от нескольких нанометров до десятка микрон.

Фото В. Новикова

стр. 1

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?11+669+1