«Наука в Сибири» № 9 (2894) 28 февраля 2013 г. С ПРИЦЕЛОМ НА ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ В институтах Сибирского отделения РАН успешно работают и продолжают создаваться уникальные промышленно-ориентированные установки, которые дают огромные возможности для получения удивительных материалов. Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — одна из основных технологий современной физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Работы по технологии МЛЭ были начаты в Институте физики полупроводников СО РАН по инициативе академика А. В. Ржанова и развиты при решающем вкладе члена-корреспондента РАН К. К. Свиташёва и профессора С. И. Стенина. В последние годы основным направлением развития МЛЭ явились работы по созданию эпитаксиальных структур на основе соединений кадмий-ртуть-теллур (КРТ) — основного материала для создания фоточувствительных элементов современных систем инфракрасной техники. Обсуждение технологических процессов проводит руководитель установки «Обь-М» д.ф.-м.н. Максим Витальевич Якушев с сотрудниками группы инженерами-технологами Кириллом Геннадьевичем Коденевым и Денисом Викторовичем Марииным. Многокамерная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» разработана и изготовлена в ИФП СО РАН под руководством д.ф.-м.н. Ю. Г. Сидорова. Она оснащена оригинальными молекулярными источниками и аналитическим эллипсометрическим оборудованием для контроля процессов роста в реальном времени и позволяет создавать структуры теллурида кадмия и ртути на подложках из кремния и арсенида галлия с заданным дизайном состава и толщиной от нескольких нанометров до десятка микрон. Фото В. Новикова стр. 1