Справочно-информационная система СО РАН - Основные научные результаты

СО РАН

Приоритетное направление:
	II.8. Актуальные проблемы физики конденсированных сред, в том числе квантовой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спинтроники, сверхпроводимости.

Программа II.8.2. Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники

Координатор(ы): чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный

Проекты:

II.8.2.1. Инжекционные структуры на основе PbSnTe:In для фотоприемных матриц ИК и терагерцового диапазона излучения (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. А.Э. Климов, д.ф.-м.н. В.Н. Шумский (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.2.2. Генерация квантового ключа в атмосферных и оптоволоконных квантовых линиях связи (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. И.И. Рябцев, чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.2.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур для СВЧ – электроники (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. К.С. Журавлев, к.ф.-м.н. А.И. Торопов (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.2.4. Функциональные оптоэлектронные материалы и волновые процессы в микро- и наноразмерных структурах (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.В. Атучин (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.2.5. Фундаментальные основы технологии молекулярно-лучевой эпитаксии наногетероструктур АIIIВV для создания нового поколения ИК- фотоприемных устройств на основе лавинных фотодиодов и короткопериодных сверхрешеток (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): к.ф.-м.н. В.В. Преображенский (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН