Справочно-информационная система СО РАН - Основные научные результаты

СО РАН

Приоритетное направление:
	2.1. Актуальные проблемы физики конденсированных сред, в том числе квантовая макрофизика, мезоскопика, физика наноструктур, спинтроника, сверхпроводимость.

Программа 2.1.1. Физика полупроводников и диэлектриков, твердотельные системы пониженной размерности.

Координатор(ы): ак. А.Л. Асеев

Проекты:

2.1.1.1. Эффекты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и спиновые явления в структурах с квантовыми точками (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.2. Разработка излучателей одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых наноструктур (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.3. Электронные свойства низкоразмерных систем и наноструктур на их основе (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.4. Развитие физико-химических основ наноструктурирования полупроводниковых материалов и анализ основных закономерностей роста и дефектообразования в системах пониженной размерности (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.5. Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантоворазмерных слоев на основе А₃В₅, легированных пленок PbSnTe:In и термоэлектрических свойств оксидов (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.6. Физико-химические основы формирования границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП-структурах на основе соединений А₃В₅ и КРТ, фоточувствительных в диапазоне 3 мкм (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.8. Изучение физико-химических процессов роста и легирования многослойных наноструктур на основе соединений A₂B₆ в методе молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием одноволновой и спектральной эллипсометрии (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.1.1.9. Изучение атомных, электронных и фотоэмиссионных явлений на атомарно-чистой поверхности соединений А₃В₅ (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН