Созданы и исследованы основные характеристики планарного
вакуумного УФ-фотодиода с GaN-фотокатодом, работающим в геометрии на отражение.
Основой фотокатода являлась гетероструктура с активным слоем из р-GaN
(р ~ 1 · 1017 см–3), выращенная
МОС-гидридной эпитаксией на подложке из лейкосапфира. Наибольшая квантовая
эффективность GaN—(Cs) фотокатода, равная 26% на длине 250 нм, наблюдалась
при нанесении ~ 0,5 ML Cs на поверхность GaN. Темновой ток фотодиода
при напряжениях до 100 В не превышал 10–14 А, что на много
порядков ниже по сравнению с твердотельными фотоприемниками на GaN (рис.1).
 Рис. 1. Фотоэмиссионные свойства УФ-фотокатода.
|
