Copyright © СО РАН

СО РАН

  
     
 

Институт физики полупроводников СО РАН

Приоритетные направления:

 
  • 2.2. Физическое материаловедение: новые материалы и структуры, в том числе фуллерены, нанотрубки, графены, другие наноматериалы, а также метаматериалы.
Программа:

 
  • 2.2.2. Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники. (Координатор: чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный)

Проект 2.2.2.8. Физико-технологические основы матричных фотоприемных устройств субмилиметрового диапазона длин волн на основе пленок PbSnTe:In (2007 - 2009 год)







[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

    
       
 

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН