Сибирское отделение Российской академии наук
|
Ненашеву А. В. (Институт физики полупроводников) — за цикл работ «Исследование спиновых явлений в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками».
(СО РАН)
18.07.2006
Ваши коментарии Обратная связь |
[Головная страница] [СО РАН] |
© 1996-2024, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск
© 1996-2024, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
Дата последней модификации:
18.07.2006