НАНОСТРУКТУРЫ:
СВЕРЯЯСЬ С МИРОВЫМ УРОВНЕМ
Пятнадцатый Международный симпозиум «Наноструктуры: физика и технология», организованный Институтом физики полупроводников СО РАН и ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН проводится в новосибирском Академгородке с 25 по 29 июня.
А. Двуреченский, д.ф.-м.н.,
заместитель директора Института физики полупроводников СО РАН
Стремительное изменение функциональных характеристик широко используемых устройств приема, передачи, обработки и отображения информации во многом определяется достижениями в развитии необходимой элементной базы: транзисторов, твердотельных лазеров, фотоприемников. Движущей силой развития элементной базы является в основном повышение быстродействия и объема памяти широко используемых изделий и устройств: компьютеров, видеосистем и систем связи. Решение непростой проблемы повышения быстродействия и объема памяти устройств достигается путем развития новых технологий, обеспечивающих уменьшение размеров базовых элементов схем. Уменьшение размеров элементов — магистральное направление современной твердотельной электроники. Характерный размер элементов в современных устройствах составляет 45 нм, а на ближайшие годы планируется переход на характерный размер 32 нм.
Сочетание высоких требований к функциональным характеристикам широко используемых устройств и путей достижения поставленных целей обеспечило основу развития нанотехнологий в твердотельной электронике и привело к получению нового класса материалов: наноматериалов, свойства которых отличаются от материалов макроскопических размеров. Меняются электронный и фононный спектры, процессы взаимодействия излучения с веществом, переноса заряда, оптические и магнитные явления. Комплексные исследования в этой области составляют основу программы Президиума РАН «Квантовые наноструктуры», руководимой академиком Ж. Алферовым.
Смотр основных отечественных достижений в области квантовых наноструктур и их сопоставление с мировым уровнем осуществляется на проводимых ежегодно международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология» под председательством нобелевских лауреатов Ж. Алферова и Е. Есаки. Традиционно симпозиум «Наноструктуры: физика и технология» проводился 14 лет в Санкт Петербурге на базе ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. Пятнадцатый международный симпозиум было решено провести в 2007 году Новосибирске. Это связано как с достаточно высокой оценкой вклада ученых сибирского региона в решение проблем разработки нанотехнологий, в развитие методов диагностики, в разработки методов исследования и получение результатов приоритетного характера, так и с 50-летием Сибирского отделения РАН.
Программа Симпозиума включает следующие основные темы:
— технология наноструктур;
— диагностика наноструктур;
— квантовые ямы и квантовые точки;
— экситоны в наноструктурах;
— электронный транспорт в наноструктурах;
— двумерный электронный газ;
— спинзависимые явления в наноструктурах;
— явления в наноструктурах в инфракрасном и терагерцевом диапазонах;
— наноструктуры на основе Si-Ge;
— наноструктуры на основе широкозонных материалов;
— металлические наноструктуры;
— наноструктуры и живые системы;
— микрорезонаторы и фотонные кристаллы;
— лазеры и оптоэлектронные приборы;
— электронные приборы, сенсоры на основе наноструктур;
— наномеханические системы и их применение.
Цель симпозиума — представление новейших достижений в физике, технологии и применении твердотельных наноструктур, развитие направления «Индустрия наносистем и материалов» в рамках Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы», обмен идеями и опытом ученых и специалистов, содействие применению результатов научных исследований в промышленности, привлечение внимания к перспективным для рыночного воплощения идеям и разработкам в области нанонауки, нанотехнологий и нанотехники. Ожидается, что развитие направлений науки, техники и технологий, связанных с созданием, исследованием и использованием объектов с наноразмерными элементами, уже в ближайшие годы приведет к кардинальным изменениям во многих сферах человеческой деятельности — в электронике, информатике, материаловедении, энергетике, машиностроении, медицине, сельском хозяйстве, экологии. Формирование и реализация активной государственной политики в области нанотехнологий позволит России в перспективе восстановить и поддерживать паритет с ведущими государствами в ряде значимых областей науки и техники. Одним из элементов в выполнении поставленной задачи является проведение международных конференций с широким участием как российских, так и иностранных исследователей, способствующих обмену знаниями и формированию новых идей.
На симпозиуме представлено 65 устных (включая 4 пленарных и 12 приглашенных) и 130 стендовых доклада, в том числе 52 доклада представлены молодыми научными сотрудниками и преподавателями, аспирантами, студентами. Специально созданный комитет по премиям выделит лучших молодых ученых как по полученным результатам, так и по качеству представления устного доклада. Полностью программа доступна по адресу http://www.isp.nsc.ru/symposium/index.php
В симпозиуме принимают участие около 400 ведущих специалистов в различных областях науки и техники из России, СНГ и зарубежных стран: Японии, США, Германии, Франции, Канады, Испании, Англии, Швеции, Финляндии, КНР, Республики Кореи и других.
Симпозиум проводится при поддержке Российской академии наук, Сибирского отделения РАН, Российского фонда фундаментальных исследований, Министерства образования и науки Российской федерации, корпорации «Intel» (USA), фирмы «Riber» (France), «Aixtron AG» (Germany), «Intech Electronics», «Interlab.Inc.», «RTI.Ltd.», «Semiconductor Technologies & Equipment» (Russia).
Специалисты фирм планируют выступления на специально организуемой технической сессии по вопросам разработки оборудования и проблемам, требующим участия академического сообщества.
стр. 7
| 
