Сибирское отделение
Российской Академии Наук


Разработка технологии и опытное производство двухслойных кремниевых структур методом прямого сращивания для элементной базы силовой интеллектуальной и сенсорной микроэлектроники.

(Условное сокращенное наименование: "Силовая интеллектуальная микроэлектроника")


  1. Сроки выполнения разработки (год начала - год окончания):
  2. 1994 - 1995.

  3. Головная организация-разработчик:
  4. Институт сенсорной микроэлектроники (ИСМЭ) СО РАН (г.Омск).
    Контактный телефон: (3812) 64-86-76;
    e-mail: bolotov@ism.omsk.su.

    Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН (г.Новосибирск).
    Контактный телефон: (3832) 35-01-50;
    факс: (3832) 35-42-65;
    e-mail: help-1@isph.nsk.su.

  5. Организация-заказчик:
  6. ХК АООТ НЭВЗ-СОЮЗ (г.Новосибирск).
    Контактный телефон: (3832) 28-71-75.

  7. Предприятия-производители:
  8. НПП НЗПП (г.Новосибирск).
    Контактный телефон: (3832) 26-29-00;

    ДХО "НЭВЗ-автоэлектроника" (г.Новосибирск).
    Контактный телефон: (3832) 28-71-45.

  9. Краткая содержательная характеристика разработки:
  10. Будет разработана технология производства двухслойных структур на кремнии методом прямого сращивания, организовано опытно-промышленное производство, объединяющее в единой (технологической и производственной) цепочке создание исходных кремниевых структур и дискретных мощных высоковольтных диодов и транзисторов на их основе. Внедрение технологии позволит в условиях существующего производства 500-вольтовых приборов освоить выпуск диодов и транзисторов на напряжение 1000-1500В с очень высоким выходом годных изделий.

  11. Степень готовности (завершение эксперимента, проведение испытания опытного образца, выпуск опытной серии и т.п.):
  12. Отработаны отдельные элементы технологии, разработана и изготовлена часть необходимой оснастки и нестандартного оборудования, изготовлены опытные промышленные образцы. По дискретным силовым приборам проходит стадия промышленного освоения и изучения рынка сбыта.

  13. Наличие необходимой инфраструктуры, производственных мощностей:
  14. Основные технологические процессы, связанные с производством двухслойных кремниевых структур и дискретных силовых полупроводниковых приборов на их основе, осуществляются на НПП НЗПП и ДХО "НЭВЗ-АВТОЭЛЕКТРОНИКА". На этих предприятиях имеются производственные площади, технологическое оборудование, высвобожденные в результате конверсии и позволяющие организовать необходимый объем выпуска приборов.

  15. Ожидаемые результаты:
  16. На основе разработанных структур будет организовано производство новых силовых диодов и транзисторов и полностью управляемых силовых многокристальных интеллектуальных модулей, способствующих реализации программ ресурсо- и энергосбережения. Их применение в таких областях, как регулируемый электропривод, источники вторичного электропитания, пускорегулирующие аппараты осветительной техники, позволяет экономить до 30% потребляемой электроэнергии. Конструктивная интеграция силовых транзисторов и управляющих узлов в единые интеллектуальные модули позволяет повысить мощность и быстродействие транзисторных ключей, расширить область применения силовых транзисторов, а также обеспечить значительную экономию материалов, используемых в электромагнитных элементах преобразователей, на порядок снизить массу и габариты преобразовательных систем.

  17. Оценка основных характеристик разработки, обеспечивающих конкурентоспособность.
  18. Область применения разработки (наименование и двузначные коды позиций ОКДП - Общероссийского классификатора видов экономической деятельности, продукции и услуг код ОКДП-ОК):
  19. 29 - производство машин и оборудования.

  20. Наличие бизнес-плана по реализации разработки
  21. - имеется.

  22. Подразделение Миннауки и СО РАН, давшие предложение, контактные телефоны:
  23. Управление высоких технологий и научно-технического прогресса в информатике, приборостроении и конверсии.
    Контактный телефон: 229-78-89;

    Управление организации научных исследований.
    Контактный телефон: (3832) 35-05-63.


[Home Page] [Russian Home Page] [В начало Обзора] [В начало Раздела]
Webmaster
www@www-sbras.nsc.ru

© 1996, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk