Сибирское отделение |
|
Институт сенсорной микроэлектроники (ИСМЭ) СО РАН (г.Омск).
Контактный телефон: (3812) 64-86-76;
e-mail: bolotov@ism.omsk.su.Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН (г.Новосибирск).
Контактный телефон: (3832) 35-01-50;
факс: (3832) 35-42-65;
e-mail: help-1@isph.nsk.su.
ХК АООТ НЭВЗ-СОЮЗ (г.Новосибирск).
Контактный телефон: (3832) 28-71-75.
НПП НЗПП (г.Новосибирск).
Контактный телефон: (3832) 26-29-00;ДХО "НЭВЗ-автоэлектроника" (г.Новосибирск).
Контактный телефон: (3832) 28-71-45.
Будет разработана технология производства двухслойных структур на кремнии методом прямого сращивания, организовано опытно-промышленное производство, объединяющее в единой (технологической и производственной) цепочке создание исходных кремниевых структур и дискретных мощных высоковольтных диодов и транзисторов на их основе. Внедрение технологии позволит в условиях существующего производства 500-вольтовых приборов освоить выпуск диодов и транзисторов на напряжение 1000-1500В с очень высоким выходом годных изделий.
Отработаны отдельные элементы технологии, разработана и изготовлена часть необходимой оснастки и нестандартного оборудования, изготовлены опытные промышленные образцы. По дискретным силовым приборам проходит стадия промышленного освоения и изучения рынка сбыта.
Основные технологические процессы, связанные с производством двухслойных кремниевых структур и дискретных силовых полупроводниковых приборов на их основе, осуществляются на НПП НЗПП и ДХО "НЭВЗ-АВТОЭЛЕКТРОНИКА". На этих предприятиях имеются производственные площади, технологическое оборудование, высвобожденные в результате конверсии и позволяющие организовать необходимый объем выпуска приборов.
На основе разработанных структур будет организовано производство новых силовых диодов и транзисторов и полностью управляемых силовых многокристальных интеллектуальных модулей, способствующих реализации программ ресурсо- и энергосбережения. Их применение в таких областях, как регулируемый электропривод, источники вторичного электропитания, пускорегулирующие аппараты осветительной техники, позволяет экономить до 30% потребляемой электроэнергии. Конструктивная интеграция силовых транзисторов и управляющих узлов в единые интеллектуальные модули позволяет повысить мощность и быстродействие транзисторных ключей, расширить область применения силовых транзисторов, а также обеспечить значительную экономию материалов, используемых в электромагнитных элементах преобразователей, на порядок снизить массу и габариты преобразовательных систем.
Промышленное производство двухслойных ПСК-структур отсутствует в России и СНГ.
Во всем мире используются различные типы мощных транзисторов: полевые транзисторы (МОПТ), биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ), полевые транзисторы со статической индукцией (СИТ). Но все они уступают новому транзистору, впервые разработанному в г.Новосибирске - ДБСИТ, по какой-либо характеристике: быстродействию, проводимости в рабочем состоянии, мощности, цене.
Производство является экологически чистым.
Приборостроение,
автотракторная,
электротехническая промышленности и др.,
Вятское машиностроительное предприятие "Авитек" (г.Киров),
АООТ "Авиэс"(г.Киров),
АООТ "АвтоВАЗ" (г.Тольятти),
АООТ "Элсиб" (г.Новосибирск).
29 - производство машин и оборудования.
Управление высоких технологий и научно-технического прогресса в информатике, приборостроении и конверсии.
Контактный телефон: 229-78-89;Управление организации научных исследований.
Контактный телефон: (3832) 35-05-63.
[Home Page]
[Russian Home Page]
[В начало Обзора]
[В начало Раздела]
Webmaster www@www-sbras.nsc.ru © 1996, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk |