Сибирское отделение |
|
Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН (г.Новосибирск).
Контактный телефон: (3832) 35-79-44, 35-54-56;
факс: (3832) 35-42-65;
e-mail: help-1@isph.nsk.su.
НПО "Восток" (г.Новосибирск).
Контактный телефон: 25-37-38.
Институт физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск).
Контактный телефон: 35-79-44, 35-54-56.
Многоэлементные фотоприемные структуры (ФПС) на слоях (CdHg)Te, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии с предельными параметрами элементов по полю матрицы для спектрального диапазона 8-12 мкм.
Проведены испытания опытных образцов (2 шт.), идет выпуск
5 опытных образцов по откорректированной технологии.
Цель проекта - доведение до малосерийного производства матричных фотоприемных структур.
Необходимая инфраструктура имеется. Для снижения себестоимости при производстве ФПС требуется модернизация технологического оборудования.
Ожидаемые результаты:
Частичное обеспечение рынка России и СНГ фотоприемными матрицами (более 50 тыс. в год). Поставка ФП матрииц на экспорт в зарубежные страны.
В России подобные разработки практически заморожены; технологические разработки в области выращивания эпитаксиальных слоев КРТ методом МЛЭ ведутся только в ИФП СО РАН г.Новосибирск.
ФП матрицы аналогичны лучшим мировым образцам.
Производство является экологически чистым.
Медицина, предприятия черной и цветной металлургии, экологический мониторинг окружающей среды, МВД РФ, МО РФ и др.
32 - Производство оборудования и аппартуры для телевидения и радиосвязи.
Управление высоких технологий и научно-технического прогресса в информатике, приборостроении и конверсии.
Контактный телефон: 229-78-89, 229-19-46;Управление организации научных исследований.
Контактный телефон: (383-2) 35-05-63.
[Home Page]
[Russian Home Page]
[В начало Обзора]
[В начало Раздела]
Webmaster www@www-sbras.nsc.ru © 1996, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk |