Объединенный Институт физики полупроводников (ОИФП)
Joint Institute of Semiconductor Physics
Создан 22 ноября 1990 г.
Генеральный директор – чл.-к. РАН Асеев Александр Леонидович
Адрес: 630090, Новосибирск, просп. ак. Лаврентьева, 13
Тел. (383 2) 33-39-50
Факс (383 2) 33-27-71
Е-mail: luch@isp.nsc.ru
Основные научные направления:
- физика полупроводников и диэлектриков;
- физико-химические основы технологии микроэлектроники, наноэлектроники, микрофотоэлектроники и акустоэлектроники;
- оптика, квантовая электроника.
Институт физики полупроводников (ИФП)
Institute of Semiconductor Physics
Создан 24 апреля 1964 г.
Адрес: 630090, Новосибирск, просп. ак. Лаврентьева, 13
Тел. (383 2) 33-39-50
Факс (383 2) 33-27-71
Е-mail: luch@isp.nsc.ru
Директор – чл.-к. РАН Асеев Александр Леонидович
Заместители директора по науке:
чл.-к. РАН Неизвестный Игорь Георгиевич
д.ф.-м.н. Курышев Георгий Леонидович
д.ф.-м.н. Овсюк Виктор Николаевич
Общая численность института 792 чел.; н.с. – 234, чл.-к. РАН – 4, д.н. – 35, к.н. – 145.
Научные подразделения:
Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов (д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков)
Лаборатории:
Технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6 (д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидоров)
Молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5 (д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков)
Эллипсометрия полупроводниковых материалов и структур (к.т.н. С.В. Рыхлицкий)
Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур (чл.-к. РАН А.Л. Асеев)
Лаборатории:
Электронной микроскопии и субмикронных структур (д.ф.-м.н. А.В. Латышев)
Физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5 (д.ф.-м.н. З.Д. Квон)
Отдел квантовой электроники (д.ф.-м.н. П.А. Бохан)
Лаборатории:
Лазерной спектроскопии и лазерных технологий (д.ф.-м.н. Н.Н. Рубцова)
Нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики (к.ф.-м.н. И.И. Рябцев)
Мощных газовых лазеров (к.ф.-м.н. Д.Э. Закревский),
Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники (чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный)
Лаборатории:
Физики и технологии гетероструктур (к.ф.-м.н. С.П. Супрун)
Отдел физики и техники полупроводнико вых структур (д.ф.-м.н. В.Н. Овсюк)
Лаборатории:
Кинетических явлений в полупроводниках (д.ф.-м.н. В.Н. Овсюк)
Физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6 (к.ф.-м.н. В.В. Васильев)
Молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5 (к.ф.-м.н. А.И. Торопов)
Отдел оптических явлений в твердом теле (к.ф.-м.н. В.В. Атучин)
Отдел монокристаллического кремния (к.ф.-м.н. В.П. Попов)
Лаборатории:
Теории твердого тела (д.ф.-м.н. А.В. Чаплик).
Вычислительных систем (чл.-к. РАН В.Г. Хорошевский)
Физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик (д.х.н. С.М. Репинский)
Физики и технологии трехмерных наноструктур (к.ф.-м.н. В.Я. Принц)
Неравновесных процессов в полупроводниках (д.ф.-м.н. А.С. Терехов)
Технологии кремниевой микроэлектроники (к.т.н. Е.И. Черепов)
Поверхностных акустических волн (к.ф.-м.н. А.С. Козлов)
Радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов (к.ф.-м.н. М.Д. Ефремов)
Неравновесных полупроводниковых систем (д.ф.-м.н. А.В. Двуреченский)
Основные научные результаты
Создан одноэлектронный транзистор на гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками (рис. 1,а), отличающийся от традиционно го тем, что в проводящем канале перенос заряда осуществляется туннельным механизмом по локализованным состояниям, формирующимся в результате размерного квантования электронного энергетического спектра в квантовых точках Ge. Максимумы тока соответствуют полуцелому заполнению электронных состояний квантовых точек носителями заряда, а период осцилляций определяется эффектами кулоновской блокады и размерного квантования (рис. 1, b).
Рис. 1.
Схема одноэлектронного транзистора на квантовых точках GeSi (а); зависимость тока исток-сток от напряжения на затворе (b).
Fig. 1. One-electron transistor on GeSi quantum dots (а); Source-drain current as a function of gate voltage at various temperatures (b).
Cозданы радиационно стойкие глубоко субмикронные КМОП-транзисторы (рис. 2) и интегральные схемы на структурах кремний-на-изоляторе по разработанной в институте и запатентованной технологии. Транзисторы с длиной канала около 0,1 мкм сохраняют рабочие параметры в сильных радиационных полях после экспозиции дозами гамма-квантов и гамма-электронов свыше 1 мРад, что удовлетворяет требованиям экстремальной электроники.
Рис. 2. Электронно-микроскопическая фотография радиационно стойкого субмикронного транзистора.
Fig. 2. Electron microphotography of radiation resistant submicron transistor
В рамках интеграционного проекта разработана интегральная технология изготовления кремниевых микросенсоров мембранного типа с компенсацией температурной зависимости тензочувствительности мембраны. Это свойство отличает разработанные датчики от существующих в мире аналогов и открывает принципиальную возможность интегрирования микросенсоров в сложные однокристальные микроэлектромеханические системы, в частности для управления высокотемпературными течениями жидкостей и газов. Разработанные датчики используются в аэродинамических экспериментах ИТПМ СО РАН.
Рис. 3. На фотографии представлен датчик давления. Стеклянная бусинка – это основание на которое крепится мембрана. В нее впаяна трубочка для присоединения к объему, в котором необходимо измерить давление.
Fig. 3. The pressure sensor is presented in the photograph. The glass bead is the base for fixing the diaphragm. A small tube soldered in the bead is assigned for joining to the volume, where it's necessary to measure the pressure.
Разработан отечественный промышленно-ориентированный лазерный эллипсометр, превышающий уровень лучших мировых аналогов. Оригинальная измерительная схема прибора запатентована ИФП СО РАН (рис. 4.)
Рис. 4. Быстродействующий лазерный эллипсометр "ПРОФИЛЬ-ИФП" (а); эллипсометрическая кривая начальной стадии роста пленки CdHgTe полученная на эллипсометре "ПРОФИЛЬ-ИФП" (b).
Fig. 4. High-speed laser ellipsometer "Profile-ISF" (а); initial stage of CdHgTe film growth measured by "Profile-ISF" ellipsometer (b).
В 2001 г. институтом опубликовано: статей в рецензируемых журналах – 429, монографий – 4.
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (КТИ ПМ)
Technological Institute of Applied Microelectronics
Создан 1 февраля 1980 г.
Адрес: 630090, Новосибирск, ул. Николаева, 8
Тел. (383 2) 34-22-40
Факс (383 2) 39-17-26
Е-mail: gelfand@amel.nsc.ru
Директор – к.т.н. Журавлев Петр Васильевич
Заместители директора по науке:
к.ф.-м.н. Демьянов Эдуард Андреевич
к.т.н. Федоринин Виктор Николаевич
Общая численность института 170 чел.; н.с. – 11, к.н. – 6.
Отделы:Основные научные результаты
Разработан, изготовлен и прошел натурные испытания экспериментальный образец малогабаритного двухспектрального прицела для стрелкового оружия. Испытания показали, что использование двухспектрального метода позволяет повысить эффективность прицеливания и дальность обнаружения объектов в 1,5 – 2 раза (рис. 5; табл. 1)
Рис. 5. Двухспектральная обзорно-прицельная система "ВЕКО".
Fig. 5. Two – Spectral SurveyAim System "ВЕКО".
Таблица 1
Технические характеристики двухспектральной обзорно-прицельной системы «ВЕКО»
В 2001 г. институтом опубликовано: статей в рецензируемых журналах – 16, монографий – 1.
Институт сенсорной микроэлектроники (ИСМЭ)
Institute of Sensor Microelectronics
Создан 29 апреля 1991 г.
Адрес: 644077, Омск, просп. Мира, 55а
Тел. (381 2) 66-36-06
Факс (381 2) 22-97-63
Е-mail: bolotov@phys.omsu.omskreg.ru
bolotov@ism.oms.su
Директор – д.ф.-м.н. Болотов Валерий Викторович
Общая численность института 81 чел.; н.с. – 43, д.н. – 7, к.н. – 23.
Лаборатории:
Высокотемпературной сверхпроводимости (к.ф.-м.н. Г.М. Серопян)
Гетерогенной плазмохимии (к.ф.-м.н. В.И. Струнин)
Физики высоких плотностей энергии и радиационной технологии (к.т.н. К.Н. Полещенко)
Физики полупроводниковых структур (д.ф.-м.н. В.В. Болотов)
Физики полупроводниковых соединений (к.ф.-м.н. Н.А. Давлеткильдеев)
Экологического мониторинга (к.т.н. А.Г. Козлов)
Основные научные результаты
Предложен способ определения структуры квантовых объектов (квантовых островков, квантовых проволок), включая дефекты структуры, из данных оптических исследований этих объектов методом комбинаци онного рассеяния света (КРС) (рис. 6).
Рис. 6. А – атомарная структура квантовых проволок (a,e) и островков (b – d,f) GaAs, формирующихся на реконструированной (001) – (2 · 4) поверхности AlAs; o – атомы Al, · – Ga, As не показан; В – рассчитанные спектры КРС островков и проволок GaAs (см. А).
Fig. 6. A – аtomic structure of GaAs quantum wires (a,e) and quantum islands (b – d,f) for reconstructed surfaces (001) – (2 · 4); o – Al, · – Ga; B – сalculated Raman spectra from quantum wires (a,e) and quantum islands (b – d,f) (see A).
Создана информационно-измерительная система и разработан метод одновременного определения содержания основных производных гемоглобина (оксигемоглобина, дезоксигемоглобина, карбоксигемоглобина и метгемоглобина) в крови человека. Метод запатентован в Российской Федерации, программное обеспечение метода – "HemoSpectr" – официально зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ. Программа "HemoSpectr" тестирована на наборе растворов трехкомпонентных смесей с известными концентрациями всех компонентов. В состав смесей входили соли: CoCl2, NiCl2, KCr(SО4)2. Необходимые для расчета параметры солей определены по спектрам поглощения растворов чистых компонентов. Тестирование показало хорошее соответствие вычисленных и эталонных значений концентраций во всех смесях (табл. 2). Полученные с помощью метода МЛП+АКФ результаты позволяют рекомендовать его в качестве метода одновременного количественного анализа производных гемоглоби на по спектрам поглощения.
Таблица 2
Результаты тестирования метода на многокомпонентных смесях
В 2001 г. институтом опубликовано: статей в рецензируемых журналах – 29, монографий – 1.
 В оглавление |
Далее 
|
 Ваши комментарии Обратная связь |
![[SBRAS]](/gif/s_sigma.gif)
[СО РАН] [ИВТ СО РАН] |
© 1996-2014, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск
© 1996-2014, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
Дата последней модификации: Wednesday, 03-Jul-2002 13:16:41 NOVST