Институт вычислительной математики
и математической геофизики


Международная конференция по вычислительной математике
МКВМ-2004

Тезисы докладов

Статистическое моделирование и методы Монте-Карло

Стохастическое моделирование фрактальной структуры электрической проводимости поликристаллических плёнок

Голубятников В.П., Макаров В.Е., Макаров Е.В., Смирнов Г.И.

Институт математики СО РАН (Новосибирск),
СО МИНИ РАН

Представлены результаты численного стохастического моделирования фрактальной структуры электропроводимости поликристаллических пленок, включая модель их свет-сигнальных характеристик. Предложена численная фрактальная модель фототока в поликристаллических пленках. Выявлена роль фрактально-геометрических показателей в теории фотопроводимости поликристаллических пленок. Показано, что модель электрической проводимости и фотопроводимости поликристаллических пленок в существенной мере определяется стохастическими факторами (в частности, хаотическим распределением полупроводниковых кристаллитов по формам и размерам). Определены параметры континуального кластера электропроводимости поликристаллических сред. Установлено, что на основе моделирования температурной зависимости электропроводности можно получать информацию о критических индексах кластера, отвечающего переносу заряда в поликристаллических пленках.

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции

Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск
    Дата последней модификации: 06-Jul-2012 (11:52:06)