ВАКУУМНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
В ОТКРЫТОМ КОСМОСЕ
В российском космическом материаловедении закончился период
формирования направлений исследований на следующее десятилетие и
строго мотивированного, научно обоснованного выбора наиболее
важных и экономически выгодных программ. В секции космического
материаловедения Совета по космосу РАН, которой руководит
академик Юрий Андреевич Осипьян, отработан четкий механизм
рецензирования и отбора проектов. В минувшем году была
сформирована программа фундаментальных исследований по
космическому материаловедению на период до 2010 года. Первым в
списке из четырех пунктов этой программы названо возникшее совсем
недавно новое направление, сформулированное так: "Исследование
синтеза полупроводниковых многослойных эпитаксиальных структур в
космическом вакууме за молекулярным экраном". Головным
исполнителем этих исследований определен Институт физики
полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук.
Здесь, в отделе роста и структуры полупроводниковых кристаллов и
пленок под руководством лауреата Государственной премии России,
доктора физико-математических наук Олега Пчелякова второй год
проводятся работы по созданию методик и оборудования для
реализации новой космической технологии. Эта технология основана
на результатах многолетних исследований процессов роста тонких
полупроводниковых пленок, проводимых сотрудниками отдела и
развиваемых ими сверхвысоковакуумных методах выращивания
кристаллических пленок из атомных и молекулярных пучков.
По просьбе нашего корреспондента Галины ШПАК о российской
космической программе "Экран" и вакуумных технологиях в космосе
рассказывает руководитель исследований Олег ПЧЕЛЯКОВ.
ПРОРЫВ
Развитие полупроводникового материаловедения за последние 25 лет
привело к новым высокоточным и наукоемким технологиям с
использованием глубокого и чистого вакуума. К таким технологиям в
первую очередь относится молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Она
связана с выращиванием монокристаллических тонких пленок и
многослойных структур, состоящих из разнообразных химических
соединений и твердых растворов с полупроводниковыми,
металлическими или изолирующими свойствами. Выращивание
производится путем нанесения тонких пленок этих материалов с
помощью молекулярных и атомных пучков в сверхвысоком вакууме на
поверхность полупроводниковой пластины при строгом контроле
состава, структуры и толщины каждого слоя в процессе его
нанесения. Появившаяся в начале семидесятых годов, эта технология
прочно заняла лидирующие позиции в арсенале средств для получения
сложных тонкопленочных кристаллических композиций с ультратонкими
слоями. Такие системы, выращенные на поверхности
полупроводниковых пластин используются как исходный материал для
изготовления многих приборов, интегральных схем и устройств
микро- и оптоэлектроники. Развитие методов и аппаратуры для
реализации этой технологии приводит к настоящей революции в
микроэлектронике. Она даже меняет свое название — становится
наноэлектроникой. Это потому, что технология МЛЭ в сочетании с
современными методами литографии для формирования "рисунка"
микросхем (и по аналогии — "наносхем") позволила перейти от
микронных толщин слоев и линейных размеров отдельных элементов к
нанометровым. Отброшены три порядка величины по каждому из трех
измерений в пространстве электронного устройства. Вместе с этим
происходит качественный прорыв наноэлектроники в крайне
высокочастотный диапазон работы передающих и приемных устройств,
и к сверхминиатюрным схемам электронной памяти большой плотности.
Однако существуют препятствия на пути уменьшения размеров и
увеличения числа элементов в интегральных схемах. Если в ходе
технологического процесса в окружающем пластину с "наносхемами"
пространстве существуют посторонние частицы, размеры которых
превышают величину элементов, то при попадании на поверхность
схемы такие частицы превращаются в ее убийц (их так и называют —
частицы-"киллеры"). При последующей обработке или при нанесении
следующих слоев эти частицы замыкают электроды или превращаются в
неустранимые дефекты. Современные производственные линии
располагают в специальных чистых помещениях, которые по классу
чистоты так и характеризуются — количеством пылинок, попадающих
на поверхность квадратного дюйма за час. В помещениях класса "10"
или даже "1" рабочие могут находиться только в специальных
"скафандрах", чтобы не стать источниками опасной пыли. При
получении все более плотноупакованных структур резко растут
требования к глубине вакуума и чистоте жидких и газообразных
сред, окружающих полупроводниковые пластины в процессе их
обработки. Эти требования и, как следствие, — стоимость
производства — становятся непомерными. Даже для такого выгодного
бизнеса, как микроэлектроника (наверное, самого выгодного на
Земле) подобный рост себестоимости производства становится "не по
карману". В самых современных и, прямо скажем, пророческих
обзорных работах таких известных отечественных специалистов в
области технологии микроэлектроники, как академик К. Валиев и
профессор А. Орликовский, на основе детального анализа тенденций
развития полностью интегрированных электронных производств,
предсказывается неизбежность прорыва электронных технологий,
связанных с использованием глубокого вакуума, выход в космическое
пространство. И теперь становится ясно, что осталось не так долго
ждать, когда произойдет этот прорыв.
ТЕПЕРЬ ЭТО УЖЕ ИСТОРИЯ
Анализ информации, имеющейся в открытой печати и в сети Internet,
показывает, что работы с использованием космического вакуума
проводятся в настоящее время только в двух странах (США и
Россия). Работы по американскому проекту были инициированы в 1989
году Центром эпитаксии в космическом вакууме (Университет
Хьюстона), а у нас начаты в 1996 году отделом молекулярной
эпитаксии Института физики полупроводников СО РАН в рамках
программы фундаментальных космических исследований "Эпитаксия".
-- Закрываю глаза и возвращаюсь на одиннадцать лет назад во
Франкфурт-на-Одере, где проходила одна из конференций стран
бывшего СЭВ по молекулярной эпитаксии, — вспоминает Олег
Петрович Пчеляков. — Нашу делегацию возглавлял ныне покойный
профессор Сергей Иванович Стенин. Он был основателем и душой
нашего отдела и все, что достигнуто нами в науке и технологии так
или иначе связано с его именем. В кулуарах обсуждалась идея
переноса установки МЛЭ в космос. Тогда уже было известно, что с
помощью так называемого "молекулярного экрана" можно получить
сверхглубокий вакуум. И все же, идея МЛЭ в космосе обсуждалась во
Франкфурте скорее, как фантастическая, чем технологическая.
Многие участники конференции наверняка помнят, что на банкете по
ее окончании я произнес тост за международное сотрудничество в
направлении вывода технологии МЛЭ в космическое пространство, но
мне не могло даже прийти в голову, что всего через десять лет я
всерьез займусь работами по созданию новой космической технологии
в России.
Через два года после этой конференции, как теперь становится
ясно, в США идея выноса вакуумных технологий в космос стала
переходить в практическую плоскость. А несколько лет назад в
Университете Хьюстона уже были начаты космические эксперименты,
подтверждающие своими результатами справедливость наших выводов и
перспективность проведения процесса МЛЭ в космосе. Эти работы
были направлены на преодоление принципиальных ограничений
традиционных вакуумных технологических процессов, проводящихся в
наземных условиях. Для этого использовались физические факторы
открытого космического пространства, приводящие к почти
бесконечной скорости откачки всех компонентов газовой среды,
включая инертные газы. Особенно яркий эффект дает использование
того самого "молекулярного экрана", с помощью которого, как
показывают расчеты и результаты первых экспериментов, возможно
получение такого разрежения газовой среды, которое не может быть
в принципе достигнуто в наземных условиях. Напомню, что первый
российский проект по использованию молекулярного экрана был
сформулирован вслед за американцами группой ученых из
Зеленограда, занимавшихся проблемами роста полупроводниковых
кристаллов в космосе, во главе с доктором наук Евгением
Васильевичем Марковым. Этот проект подвергался серьезной критике,
однако многие его положения вошли в современный вариант проекта
"Экран". Мы второй год сотрудничаем с этой группой, работающей в
НИИ "Научный центр" (г.Зеленоград), и со специалистами РКК
"Энергия" (г.Королев). Совместно с ними был подготовлен новый
проект и научно-техническое обоснование для проведения
экспериментов по эпитаксии полупроводниковых соединений на
кремниевых подложках в условиях космического пространства за
молекулярным экраном. В реализации проекта, возможно, будет
принимать участие еще несколько организаций и предприятий. Уже
подключаются сотрудники кафедры физики полупроводников Томского
государственного университета, МГТУ им.Н.Э.Баумана, Института
кристаллографии РАН и его филиала в Калуге.
А первое крещение проект получил во время международной
конференции по космическому материаловедению в июне прошлого
года, которая проходила на борту теплохода "Санкт-Петербург".
Представительный научный форум собрал более 300 ученых из многих
стран мира. Я сделал доклад от имени 11 соавторов из трех
организаций. После доклада ученый секретарь секции космического
материаловедения Борис Захаров поздравил нас с успехом. Его
мнение об актуальности и перспективности нашего проекта, как
мнение человека глубоко понимающего современное состояние
российской космической науки о материалах, имеет для меня большое
значение и придает уверенность. Очень хорошо оценили доклад
ведущие специалисты по росту кристаллов в космосе — профессор
Александр Чернов, директор лаборатории по росту кристаллов в
космосе Центра Маршалла (США), профессор Михаил Мельвидский,
руководитель российской космической программы по росту
кристаллов, и профессор Татау Нишинага (Япония), президент
международной ассоциации по росту кристаллов и официальный
консультант американской программы "Спейс-шаттл" по росту
кристаллов в космосе. Очень горжусь, что Т.Нишинага, с которым я
лично знаком уже более 10 лет, согласился быть научным
консультантом и нашей программы. Его анализ и советы порадовали
меня глубиной понимания проблем и живой заинтересованностью. Во
время вопросов и дискуссий в кулуарах, после обсуждения деталей
проекта с коллегами, я понял — наш проект будет жить.
ЭФФЕКТ МОЛЕКУЛЯРНОГО ЭКРАНА
Идея использования молекулярного экрана для получения
ультравысокого вакуума в космосе на низких орбитах принадлежит
американским ученым. Вероятно, первым был Р.Н.Костоф (1970),
который описал существо идеи. Затем про нее забыли и только в
1976 году Л.Мелфи с соавторами без ссылок на Р.Н.Костофа провел
теоретический анализ состояния газовой среды вокруг летящего в
пространстве полусферического экрана и сформулировал концепцию
орбитальной лаборатории со сверхразреженной средой. Эта работа
проводилась при поддержке НАСА. Расчеты авторов показали, что
если в космическом пространстве на высоте 200--400 км, там где
летают орбитальные станции, будет с первой космической скоростью
двигаться экран — полированный диск из нержавеющей стали, то в
его кильватерной области образуется конусный след практически
лишенный вещества. С помощью молекулярного экрана можно получить
такое разрежение, что появление одного атома кислорода (кислород
-- основной компонент газовой среды на высоте орбитального полета
космических станций) на площадке в один квадратный дециметр
придется ожидать миллион лет. Все давление за экраном будет
определяться атомами гелия и водорода, источником которых
является Солнце, а также веществом, испаряющимся с поверхности
самого экрана. Для сравнения следует отметить, что в наземных
сверхвысоковакуумных технологических установках с криогенными
насосами достигается предельное разрежение в сотни и тысячи раз
хуже, чем было практически получено в первых американских
космических экспериментах с молекулярным экраном.
Интересен вопрос: когда была высказана впервые и кому первому
принадлежит идея получения вакуума в кильватерной области
летящего с большой скоростью предмета? Наверняка, не в 1970 году,
и не американцы были здесь первыми. Откроем второй номер
"Сибирского физического журнала" за прошлый год. Фрагмент книги
ныне покойного профессора Михаила Васильевича Терентьеа "Об
истории и развитии понятия физического вакуума" вносит
неожиданную ясность. Оказывается, в 4 веке до нашей эры
Аристотель примерно так выразил данную идею: "Пустота (вакуум) —
это есть пространство, которое образуется в следе камня
выпущенного из пращи, правда, она моментально исчезает, поскольку
сюда устремляются частицы из окружающего пространства...".
Аристотелю надо было только закончить эту мысль — "...и если мы
разгоним камень до скорости, сравнимой со скоростью всех частиц
окружающей среды, то за ним в полете всегда будет существовать
абсолютно пустое пространство", и тогда можно было бы считать его
автором нового способа получения сверхглубокого вакуума!
Вся история вакуумной техники и технологий с ней связанных
состоит из непрерывной и тяжелой борьбы за сверхвысокий и чистый
космический вакуум в тесных и жестких рамках наземных условий.
Каждый новый успех в этой области достигнут человеком вопреки
земной природе, которая так "боится" пустоты. Стоимость
современных установок для получения и использования сверхвысокого
вакуума достигает величин в миллионы долларов. А эксплуатация
этих систем обходится тем дороже, чем более глубоким является
получаемый вакуум, чем больше расходуется энергии, а также жидких
гелия и азота для его получения. Наша страна после развала
собственной вакуумной промышленности покупает такие установки
только за рубежом. При покупке каждой установки обычно
составляется бизнес-план и покупатель рассчитывает получить
положительный экономический эффект. Средств, затраченных на
приобретение только нескольких таких установок, хватило бы на
реализацию всего проекта "Экран". А поддается ли оценке сумма
денег затраченных на разработку наземных средств получения
сверхвысокого вакуума?
"МАВР" и "АТОМНАЯ ИНЖЕНЕРИЯ ВЕЩЕСТВА"
Промышленная реализация и развитие метода МЛЭ убедительно
показали, что он остается лучшим методом получения многослойных
эпитаксиальных структур с атомной гладкостью границ, прецизионно
заданными толщинами слоев, их составом и профилем легирования.
Применение высокочувствительных электроннозондовых и оптических
средств контроля параметров получаемых структур и управления
процессом их синтеза обеспечивает высокую воспроизводимость этих
параметров. Существует множество примеров использования таких
структур в перспективных полупроводниковых приборах
наноэлектроники нового поколения, принцип действия которых (в
отличие от традиционных приборов микроэлектроники) основан на
волновой природе электрона.
-- Уже как легенда звучит рассказ о том, как появилось
технологическое направление МЛЭ в нашем институте, да и в стране
в целом, — говорит О.Пчеляков. — После своего возвращения из
очередной командировки в США наш первый директор академик
Анатолий Васильевич Ржанов делился на семинаре своими
впечатлениями о посещении лаборатории новоиспеченного
Нобелевского лауреата профессора Л.Эсаки. Анатолий Васильевич
передал нам свое понимание важности только что родившегося
направления, которое назвал "атомной иженерией вещества". Он
повторил слова Эсаки: "Природа создала кристалл, а мы своими
руками создаем не существующие в природе его многослойные
композиции". Потом Ржанов сказал, что если мы не возьмемся срочно
за создание подобной технологии в нашей стране, то рискуем
прозевать что-то вроде атомной бомбы в материаловедении. Первая
сверхвысоковакуумная установка МЛЭ в нашем институте была
запущена уже в 1979 году в моей группе при активном участии
ведущего научного сотрудника Леонида Соколова и инженера Михаила
Ламина. Она называлась "МАВР". Примерно в это же время появилась
первая промышленная установка "ТЭМП". Название "ТЭМП"
расшифровывалось так — технология эпитаксии из молекулярных
пучков. Ее изготовили специалисты Технологического института в
Рязани — головного предприятия машиностроительного главка
могущественного тогда Министерства электронной промышленности. Мы
с Соколовым и другие сотрудники лаборатории профессора Сергея
Стенина принимали участие в ее технологическом пуске по
приглашению первого директора этого института, ныне покойного
Альберта Денисова. Совместно с Институтом ядерной физики была
создана установка "Селенга". Ее изготовление курировал ведущий
научный сотрудник нашего института В.Мигаль, который тоже работал
в Рязани на запуске и внес решающий вклад в разработку технологии
МЛЭ приборных структур для сверхвысокочастотной техники. А затем,
благодаря удачно сложившемуся творческому контакту с
конструкторским отделом под руководством Геннадия Александровича
Потемкина, в бывшем Специальном конструкторско-технологическом
бюро при решающем вкладе ведущих конструкторов В.Блинова и
А.Сущих появилась конструкторская документация на целое семейство
установок с названиями сибирских рек — "Ангара" и "Катунь". На
этой стадии к нам подключился Ижевский институт вакуумного
электронного машиностроения. Там разрабатывались и
изготавливались все блоки сложнейших компьютерных систем
управления этих установок. Ижевцами были приняты оправдавшие себя
сегодня и пионерные по тем временам решения в архитектуре
автоматизированных систем управления технологическими процессами.
Мы никогда не забудем выдающегося вклада в это дело рано ушедшего
из жизни руководителя отдела разработчиков Геннадия Емелина.
Параллельно разрабатывались установки в Рязани "ШТАТ" и "ЦНА". В
Ленинграде была позже разработана исследовательская установка
МЛЭ, на мой взгляд, и по мнению многих, не получившая широкого
распространения, потому что была перенасыщена сложным
аналитическим оборудованием, ее должны были серийно изготавливать
в Черноголовке. Нашим институтом совместно с Опытным заводом СО
РАН и в Институте вакуумного машиностроения в Ижевске менее чем
за десять лет было изготовлено 35 комплектов установок "Ангара" и
"Катунь", а в НИТИ (в Рязани) — около 20 установок типа "ШТАТ" и
"ЦНА". За разработку этих установок наши коллективы и получили в
1993 году Государственную премию России в области науки и
техники.
На нашем Опытном заводе главным "мотором" и организатором
производства установок МЛЭ был заслуженный технолог России,
дважды лауреат Государственных премий Геннадий Третьяков. Он и
сейчас входит в состав нашей команды. В процессе изготовления
каждой установки кроме сотрудников Опытного завода принимали
участие многие сотрудники нашего отдела. Но главными хозяевами
положения с комплектацией, наладкой и испытаниями установок были
Ю.Ваулин и Н.Митюк. Именно это оборудование, прошедшее через их
руки, наряду с импортным (мы тогда мечтали вытеснить с
внутреннего рынка импорт) и позволило не допустить безнадежного
отставания нашей науки и технологии от мировой в области МЛЭ.
Теперь мы можем сказать, что не прозевали этой "атомной бомбы".
При реализации процесса МЛЭ в наземных вакуумных установках
факторами, лимитирующими получение высококачественных структур,
являются глубина и чистота вакуума, производительность откачной
системы, а также наличие стенок вакуумной камеры, накапливающих и
отдающих компоненты молекулярных пучков и атмосферы остаточных
газов, загрязняющих подложку и пленку. Эти недостатки могут быть
устранены при выносе технологической безкорпусной установки в
открытый космос в "кильватерную" область молекулярного экрана.
В качестве стендов для наземных испытаний основных узлов
технологической оснастки будут использоваться многокамерные
автоматизированные комплексы для МЛЭ кремния, германия и
соединений типа А3В5 и А2В6, созданные и функционирующие в
Институте физики полупроводников.
Дальнейшая работа направлена на создание и испытание наземных
прототипов и натурных образцов всех технологических систем
установок МЛЭ, предназначенных для выноса в космос и размещения
на орбитальном комплексе "Мир", а затем — на международной
космической станции "Альфа". Успешному достижению цели проекта
будет способствовать научная и организационная поддержка секции
космического материаловедения Совета по космосу РАН под
руководством академика Юрия Андреевича Осипьяна. Большую роль
сыграет развитие двадцатилетнего задела в области МЛЭ
элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений
нашего творческого коллектива. Кандидаты наук Л.Соколов и
А.Никифоров — играют у нас ключевые роли в научной и технической
подготовке всех решений, руководитель технологической группы
В.Преображенский вместе со своими сотрудниками М.Путято и
Б.Семягиным — главные консультанты в создании технологической
оснастки, а руководитель группы М.Ревенко и заведующий
лабораторией А.Торопов участвуют в разработке деталей будущей
космической технологии. В группах доктора физико-математических
наук Б.Ольшанецкого, кандидатов физико-математических наук
Е.Труханова и А.Гутаковского идет подготовка методов
сравнительного структурного анализа свойств полупроводниковых
эпитаксиальных материалов, которые будут получены в одинаковых
процессах на Земле и в космосе. Наша работа по проекту была бы
невозможной без научной, технической и финансовой поддержки со
стороны Международного научно-технического центра полезных
нагрузок космических объектов. Сотрудники этого Центра и РКК
"Энергия" им.С.П.Королева вносят в работу свой уникальный опыт
создания аппаратуры для космических исследований. Ими проводится
разработка конструкции молекулярного экрана, узлов его крепления
и связанной с ним контрольно-измерительной аппаратуры,
экспериментальное и теоретическое исследование состояния газовой
среды вблизи космических объектов. Основные участники этих работ
В.Никитский, В.Бержатый, А.Иванов и Л.Зворыкин были соавторами
нашего первого сообщения о содержании программы "Экран" на
международной конференции. Разработка систем питания и всех
бортовых средств автоматизации и телеметрии будет проводиться
сотрудниками НИИ "Научный Центр" Е.Марковым, В.Антроповым,
В.Бирюковым и другими. Они имеют большой опыт в космическом
материаловедении и изготовлении установок для выращивания
объемных кристаллов на борту орбитальной станции. Важно и то, что
будет использован научный потенциал других коллективов,
подключающихся к выполнению работ (Филиал Института
кристаллографии, под руководством проф. Б.Захарова, коллектив
профессора В.Савичева из МГТУ им.Н.Э.Баумана).
ПРАГМАТИЧЕСКИЕ РАССУЖДЕНИЯ
С целью экономически эффективного использования научных и
технологических возможностей установок "Экран" и, возможно, —
минифабрики будут предусмотрены программы, направленные на
коммерческую реализацию промежуточных результатов. Это может быть
синтез заказных полупроводниковых структур для исследований и
приборных применений, а также изготовление альтернативных
подложек дорогостоящих полупроводниковых соединений в
тонкопленочном состоянии на основе кремниевых пластин большого
диаметра.
В отличие от американского проекта, ориентированного на
применение в качестве подложек пластин арсенида галлия, в основе
Российской программы лежит использование более дешевого (в 10--15
раз) и более легкого (в 2,3 раза) подложечного материала большой
площади (пластины кремния диаметром до 200 мм). Получение
буферного слоя арсенида галлия предполагается проводить
непосредственно перед синтезом приборных структур.
После цикла материаловедческих исследований в наземных условиях и
предварительного моделирования, в программе полетных
экспериментов предлагается использовать "экзотические"
преимущества открытого космоса.
Это, как уже говорилось, глубокий вакуум и почти неограниченная
скорость откачки компонент рабочего молекулярного пучка,
создающие уникальную возможность для сверхбыстрой смены
химического состава газовой фазы в зоне роста на поверхности
подложки. При этом важную роль сыграет полное отсутствие стенок
рабочей камеры и возможность существенного пространственного
удаления элементов технологической оснастки от зоны
эпитаксиального роста.
Будет использована также возможность значительного увеличения
расстояния от подложки до источника молекулярного пучка.
Кроме того, могут использоваться токсичные летучие жидкости и
газы (гидриды, металлорганические соединения) в качестве исходных
материалов для синтеза пленок без загрязнения окружающей среды.
Эти соединения быстро рассеиваются до безопасных концентраций и
легко разлагаются на безопасные компоненты под действием
солнечного ионизирующего излучения.
Микрогравитация — фактор, который в данном проекте в отличие от
всех остальных не используется.
Перечисленные факторы позволят получать сверхрезкие границы
раздела между эпитаксиальными слоями, а также формировать
многослойные структуры, содержащие большое число разных по
составу и однородных по площади слоев, что играет особую роль при
увеличении диаметра подложки. Особенно важно, что в пленках,
выращенных в космическом вакууме, должны практически
отсутствовать углеродо- и кислородосодержащие компоненты — самые
вредные примеси в полупроводниках.
В результате реализации проекта планируется создание орбитальной
минифабрики по производству альтернативного подложечного
материала для получения сложных полупроводниковых соединений и
многослойных гетероструктур на поверхности кремниевых пластин
большого диаметра для нужд интегральной опто-, микро- и
наноэлектроники. Подобная цель для работы с использованием
факторов космического пространства ранее не ставилась и
сформулирована впервые.
Расчет экономической эффективности работ по проекту затруднен
тем, что предполагается получать подложечный материал для
выращивания полупроводниковых структур еще не существующий на
мировом рынке. Тем не менее, срок окупаемости проекта может быть
оценен по максимуму из расчета минимальной прибыли. Мы брали за
основу расчетов параметры процесса изготовления структур и
известные в мировой практике цены на исходный материал, и готовые
приборные структуры. Был сделан вывод о том, что орбитальная
минифабрика может производить не менее 2000 пластин диаметром 200
мм в год. В соответствии с нашими расчетами общие затраты на
изготовление одной пластины в условиях минифабрики составят в
среднем не более 5500 долларов и затраты на реализацию проекта
окупятся в течение года продаж этих структур.
Работа по программе "Экран" обеспечит самостоятельность и
экспортную независимость в данной области космического
полупроводникового материаловедения, что отвечает национальным
интересам нашей страны. Значительное преимущество данной
программы над американской — развитие широкой международной
кооперации при реализации коммерческих программ.
Несомненно, что мы вступаем в новое направление развития
технологии микроэлектроники ХХI века — создание полностью
интегрированных вакуумных производств в открытом околоземном
космическом пространстве. И не последнее слово в этом процессе за
сибиряками.
На снимках:
— Снимок орбитального комплекса "Мир" с борта многоразового
корабля "Шаттл". Установка "Экран" смонтирована на "Мире" с
помощью компьютерной графики.
— Снимок на память о первой встрече сотрудников Российской
космической корпорации "Энергия" и научных сотрудников
лаборатории Института физики полупроводников СО РАН: (стоят слева
— направо) О.Пчеляков, А.Никифоров, А.Иванов; (сидят)
В.Зименков, Л.Зворыкин, Л.Соколов.
— Руководитель группы В.Преображенский готовит к запуску
установку для роста пленок из газовых пучков.
— Руководитель группы рентгено-структурного анализа кандидат
физико-математических наук Е.Труханов.
— В лаборатории по выращиванию пленок германия и кремния.
Руководитель отдела О.Пчеляков, кандидаты физико-математических
наук В.Марков и А.Никифоров.
— Макет космической установки "Экран".
Фото О.Пчелякова.
стр.
|
