Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 46 (2581) 30 ноября 2006 г.

ЧЛЕНУ-КОРРЕСПОНДЕНТУ РАН
ИГОРЮ ГЕОРГИЕВИЧУ
НЕИЗВЕСТНОМУ — 75 ЛЕТ

Дорогой Игорь Георгиевич!

Президиум Сибирского отделения Российской академии наук и Объединенный ученый совет по физико-техническим наукам сердечно поздравляют вас с 75-летием!

Начав свою научную деятельность в знаменитом ФИАНе, позже, в 1962 году, вы переехали в Академгородок и связали свою жизнь с Сибирским отделением РАН. Став одним из организаторов Института физики полупроводников, первым по времени и по статусу заместителем директора по научной работе, вы много сил отдали научно-организационным вопросам, оснащению лабораторий первоклассным оборудованием. Созданный под вашим руководством термостатированный корпус ИФП СО РАН стал примером технологической культуры для многих научно-исследовательских организаций в области микроэлектроники.

Вместе с вашим учителем академиком А. В. Ржановым вы сформулировали научные направления института, актуальность которых в настоящее время только возрастает.

Ваши работы по изучению электронных и фотоэлектрических явлений на границах раздела полупроводник-диэлектрик и многослойных полупроводниковых гетероструктурах сыграли важную роль в развитии микро-, опто- и наноэлектроники, заложили основу методов стабилизации характеристик полупроводниковых приборов. Они стали фундаментом приборов с зарядовой связью и зарядовой инжекцией. Вами развиты методы исследования и получения многослойных тонкопленочных структур, ставшие базой многоэлементных фотоприемных устройств в широком диапазоне длин волн. Ваши исследования гетероструктур PbSnTe (In) и создание на их основе многоэлементных фотоприемников удостоены Государственной премии РФ по науке и технике в 1995 году.

Вы и в настоящее время демонстрируете высокую творческую активность, координируя работы СО РАН по созданию физических и физико-технологических основ элементной базы быстродействующей микро- и фотоэлектроники, квантовой однофотонной криптографии.

Много времени вы уделяете педагогической деятельности, руководя филиалом кафедры НГТУ в ИФП. Ваши ученики, среди которых пять докторов и пятнадцать кандидатов наук, плодотворно трудятся в отечественных и зарубежных научных центрах.

Вы являетесь членом ряда Научных советов РАН и СО РАН, заместителем главного редактора журнала «Микроэлектроника», членом редколлегии нескольких научных журналов.

Коренной одессит, вы отличаетесь неиссякаемым чувством юмора, доброжелательностью, внимательным отношением к людям.

Будучи смолоду спортсменом, одним из организаторов спортклуба АН СССР, вы и сейчас отличаетесь бодростью и спортивной выправкой.

Мы желаем вам, дорогой Игорь Георгиевич здоровья, творческого долголетия, удач во всех начинаниях, благополучия вашим близким и друзьям!

Председатель Отделения академик Н. Добрецов
Председатель Совета академик А. Скринский

стр. 8

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?6+397+1