Справочно-информационная система СО РАН - Основные научные результаты

СО РАН

Приоритетное направление:
	2.2. Физическое материаловедение: новые материалы и структуры, в том числе фуллерены, нанотрубки, графены, другие наноматериалы, а также метаматериалы.

Программа 2.2.2. Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники.

Координатор(ы): чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный

Проекты:

2.2.2.1. Базовые технологии оптоэлектронных материалов и физические процессы в слоистых и нанофотонных волноводных структурах (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.2. Развитие исследований и разработок физико-химических основ создания наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых интегрированных микросенсоров на основе пленок наноструктурированных материалов (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.3. Генерация квантового ключа в оптоволоконных линиях связи (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.4. Разработка физико-химических методов получения ультратонких полупроводниковых гетероструктур на изоляторе и исследование процессов электронного транспорта в наноструктурах на их основе (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.5. Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.6. Исследование механизмов молекулярно-лучевой эпитаксии и разработка научных основ технологии квантово-размерных структур на основе кремния, германия и соединений А₃В₅, включая нитриды металлов третьей группы для создания приборов наноэлектроники и фотовольтаики (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.7. Молекулярно-лучевая эпитаксия структур на основе соединений А₃В₅ для полевых СВЧ-транзисторов (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
2.2.2.8. Физико-технологические основы матричных фотоприемных устройств субмилиметрового диапазона длин волн на основе пленок PbSnTe:In (2007 - 2009 год)
(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН